SFX4N65E 4A, 650V N-CHANNEL MOSFET

2022-11-09
N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,功率 MOSFET,N沟道贴片MOS管,SFX4N65E N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,功率 MOSFET,N沟道贴片MOS管,SFX4N65E N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,功率 MOSFET,N沟道贴片MOS管,SFX4N65E N沟道增强型功率MOS场效应晶体管,功率 MOSFET,N沟道贴片MOS管,SFX4N65E
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●一般说明
■ 这种功率mosfet是一种N沟道增强型功率MOS场效应晶体管，使用Hi半导体专有的F-Cell生产™ 结构VDMOS技术。改进的平面条形电池和改进的保护环端子经过特别定制，以最小化导通状态电阻，提供优异的开关性能，并在雪崩和换向模式下耐受高能脉冲。这些器件广泛应用于AC-DC电源、DCDC转换器和H桥PWM电机驱动器。

●特征
■VDS（V）=650V，ID=4A
■RDS（打开）
◆典型值：2.3Ω@VGS=10V ID=2A
◆最大值：2.7Ω

SFX4N65E 4A，650V N沟道MOSFET

HI-SEMICON

SFX4N65E、SFP4N65E、SFF4N65E、SFU4N65E、SFM4N65E、SFD4N65E

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VGS(th)[min] (V)
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Ciss(typ)(pF)
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SFF7N65-Y
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TO-220F-3L
N
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