EPC2308 – Enhancement Mode Power Transistor DATASHEET

EPC2302–增强型功率晶体管数据表

该资料介绍了EPC2302增强型功率晶体管，这是一种低导通电阻（1.8 mΩ max）的100V eGaN® 功率晶体管，采用3 x 5 mm QFN封装，具有暴露顶部的散热设计。适用于高频DC-DC转换和48V BLDC电机驱动应用。

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EPC2307–增强型功率晶体管数据表

本资料详细介绍了EPC2307增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（Gallium Nitride）技术的功率器件。该器件具有极低的导通电阻（RDS(on)），适用于高频开关应用，同时具备低开关损耗和零反向恢复损耗的特点。资料中提供了产品的主要参数、特性、应用领域以及封装信息。

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EPC2207–增强型功率晶体管

本资料为EPC2207增强型功率晶体管的数据手册。该器件采用氮化镓（Gallium Nitride）技术，具有低导通电阻、高开关频率和优异的热性能等特点。适用于无线充电、DC-DC转换器、BLDC电机驱动、太阳能微型逆变器、机器人、Class-D音频和多级AC-DC电源等领域。

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EPC2051–增强型功率晶体管，V-DS，100 V RDS（ON），25 mΩ，I-D，1.7 A

本资料为EPC2051增强型功率晶体管的电子数据表。介绍了该器件的关键参数、特性及应用领域，包括其低导通电阻（RDS(on)）、高效率、无反向恢复特性以及适用于多种电源转换应用。

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EPC2308–增强型功率晶体管数据表

该资料详细介绍了EPC2308增强型功率晶体管的产品特性、应用领域和设计建议。EPC2308是一款基于氮化镓（GaN）技术的功率晶体管，具有低导通电阻、高开关频率和低开关损耗等特点，适用于高效能转换应用。

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EPC2052–增强型功率晶体管数据表

本资料介绍了EPC2052增强型功率晶体管（Power Transistor）的技术规格和应用。该器件采用氮化镓技术，具有低导通电阻和优异的热性能，适用于高频率开关和高效率电源转换。

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EPC2361–增强型功率晶体管数据表

本资料为EPC2361增强型功率晶体管的详细数据手册。介绍了该产品的特性、最大额定值、静态和动态特性、热特性、布局考虑因素、封装尺寸和推荐资源。

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EPC2306–增强型功率晶体管eGallium Nitrium®FET数据表

本资料介绍了EPC2306增强型功率晶体管，一款基于氮化镓（Gallium Nitride）技术的器件。该晶体管具有极低的导通电阻RDS(on)，适用于高频开关应用，同时提供低QG和零QRR，适合于高频率和高效率转换需求。

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EPC2059–增强型功率晶体管

本资料为EPC2059增强型功率晶体管的规格书。该器件采用氮化镓（Gallium Nitride）技术，具有低导通电阻（RDS(on)）、高开关频率和优异的热性能。适用于高效能转换应用。

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EPC2302–增强型功率晶体管

EPC2302是一款高效能的增强型功率晶体管，具有低导通电阻（1.8 mΩ max）和高耐压（100 V）。该器件采用3 x 5 mm QFN封装，具备良好的热管理能力。适用于高频DC-DC转换和电机驱动等领域。

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EPC2305–增强型功率晶体管VDS，150 V RDS（ON），2.2 mΩ（典型值）数据手册

EPC2305是一款150V增强型eGaN®功率晶体管，采用低电感3x5mm QFN封装，具有暴露的顶部，提供优异的热管理性能。该器件具有增强型PQFN“Thermal-Max”封装，暴露的顶部增强了顶部热管理，侧湿边确保在回流焊接过程中整个侧垫表面被焊锡润湿，保护铜并允许在外部侧边区域进行焊接，便于光学检查。与硅MOSFET相比，15mm²的占位面积小于同类150V硅MOSFET的一半，QG和QGD显著更小，QRR为0。这导致开关损耗和栅极驱动器损耗更低。EPC2305允许3x5mm QFN封装实现最高的功率密度，由于效率提高、尺寸减小和开关频率更高，因此需要更小的电感和更少的电容器。

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EPC2019–增强型功率晶体管数据表

本资料介绍了EPC2019增强型功率晶体管（eGaN® FET）的技术规格和应用。该器件采用氮化镓技术，具有极低的导通电阻和优异的热性能，适用于高速直流-直流转换、音频放大器和高频开关电路。

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EPC2067–增强型功率晶体管规格书

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EPC2305–增强型功率晶体管数据表

EPC2305是一款150V增强型eGaN®功率晶体管，采用低电感3x5mm QFN封装，具有暴露的顶部，提供优异的热管理性能。该器件具有增强型PQFN“Thermal-Max”封装，暴露的顶部增强了顶部热管理，侧湿边确保在回流焊过程中整个侧垫表面被焊锡润湿，保护了铜并允许在外部侧面区域进行焊接，便于光学检查。与硅MOSFET相比，15mm²的占位面积小于同类150V Si MOSFET的一半，具有更小的QG和QGD，QRR为0。这导致开关损耗和栅极驱动器损耗更低。EPC2305允许3x5mm QFN封装实现最高的功率密度，由于效率提高、尺寸减小和开关频率更高，因此需要更小的电感和更少的电容器。

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