BLG15T65FUL IGBT
●描述
■BLG15T65FUL采用先进的沟槽场阻(T-FS)技术,具有低VCE(sat)、优化的开关性能和低栅极电荷Qg的特点。IGBT适用于BLDC、UPS和低VCE(sat)应用。
●特征
■快速切换
■低VCE(sat)
■正温度系数
■非常软,快速恢复反并联二极管
■RoHS产品
BLG15T65FUL IGBT |
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BLG15T65FUL、BLG15T65FUL-B、BLG15T65FUL-P、BLG15T65FUL-A、G1565FUL |
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数据手册,Datasheet |
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详见资料 |
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TO-220;TO-263;TO-220F |
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中文 英文 中英文 日文 |
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6/2022 |
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Rev3.0 |
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1.5 MB |
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世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
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