瞻芯电子1700V SiC MOS系列产品变更通知(20221123001)
●鉴于1700V SiC MOS系列还处于未量产阶段(工规级JEDEC认证进行中),最初1700V 1ohm和1700V 10ohm是基于瞻芯电子的第一个1700V SiC MOS工艺平台(即Vgs=20V)上开发的,所以初始定义安装IV1Q17来定义1700V的MOS器件系列。但是,这与公司整体的技术路线Roadmap不相符合,主要是因为目前这个1700V SiC MOS工艺平台其驱动电压定义为Vgs=18V,按照公司相关产品定义规则,则应该安装IV2Q17来定义1700V SiC MOS的产品。所以,目前涉及到几款产品命名需要更新为IV2Q17系列。
IV2Q17 系列、IV2Q17、IV1Q17、IV1D12030V2、IV1Q171R0T3G、IV1Q171R0D7G、IV1Q171S0BDG、IV2Q171R0T3、IV2Q171R0D7、IV2Q171S0BD |
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产品变更通知及停产信息,产品型号变更通知函 |
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详见资料 |
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TO252;DFN;TO220;TO263;TO247 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2022.11.24 |
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20221123001 |
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瞻芯电子 - SIC MODULES,碳化硅肖特基二极管,专用栅极驱动芯片,SIC二极管,通用栅极驱动芯片,碳化硅功率模块,SIC DIODES,碳化硅 MOSFET,SIC MOSFETS,隔离驱动芯片,图腾柱 PFC 控制芯片,SIC模块,通用门驱动器,碳化硅金属氧化物场效应晶体管,SIC SBD,GENERAL GATE-DRIVER,电源管理控制芯片,SIC肖特基势垒二极管,SIC专用栅极驱动器,比邻驱动芯片,SIC-SPECIFIC GATE-DRIVER,SIC MOSFET,IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12050T4,IV1Q12080BD,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IV2B12003HA2L,IVCO1A02DWQR,IVCR1801ASR,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q06040L1,IV2Q17020T4Z,IV2Q20045BD,IV3B20023BA2,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,VSM12080HA2Z,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IVCO1411DDWQR,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D12030U3,IV1D20020T2,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVHD122M1TA2Z,IVCO1A02DR,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D12015T2,IV1D20020BD,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1,充电桩,储能变流器,新能源汽车,数据中心,风电,5G基站,充电桩模块,新基建,通信电源,轨道交通,EVTOL 电动垂直起降飞行器,光伏逆变器,储能
SiC-MOSFET让汽车及工业设备更小更高效,宽耐压,开关损耗降低50%
世强硬创联合瑶芯微,爱仕特,派恩杰,瞻芯电子,中电国基南方,带来让汽车及工业设备更小更高效的SiC MOSFET系列产品,最高1700V宽耐压,开关损耗降低50%。
瞻芯电子新品速递 2024-08
瞻芯电子最新发布两款产品,包括SiC MOSFET和高性能比邻驱动TM芯片。SiC MOSFET具备高耐压、高速特性,适用于EV电机驱动、光伏升压变换器等领域;比邻驱动TM芯片符合车规级可靠性标准,应用于AC/DC和DC/DC变换器、电机驱动等场景。
瞻芯电子 - 比邻驱动™芯片,SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV2Q17080T4Z,IV3Q33050T4,IVCO1412ADQR,IVCO1411CDQR,IVCO1411ADQR,车载逆变器,电机驱动,轨交主驱逆变器,直流变换器,DC/DC变换器,AC/DC电源,医疗应用,光伏升压,高压DC/DC变换器,逆变器,EV空压机逆变器,光伏升压变换器,通信整流器,EV电机驱动,不间断电源,AC/DC变换器,服务器,UPS
产品手册SiC功率半导体和IC解决方案
瞻芯电子(InventChip Technology Co., Ltd.)是一家专注于碳化硅(SiC)功率半导体和集成电路解决方案的领先供应商。公司成立于2017年,总部位于上海。IVCT致力于开发SiC功率器件、功率模块、栅极驱动器和控制器IC,提供一站式芯片解决方案。公司拥有6英寸SiC MOSFET技术,并拥有汽车级SiC晶圆厂,致力于按时、高质量地交付SiC产品,并追求持续的技术创新。产品涵盖SiC功率器件、SiC功率模块、栅极驱动器和控制器IC等。
瞻芯电子 - SIC MODULES,DEDICATED SIC GATE-DRIVER,SIC二极管,专用SIC MOSFET驱动器IC,SIC DIODES,SIC MOSFETS,隔离栅驱动器,SIC模块,通用门驱动器,DEDICATED SIC MOSFET DRIVER ICS,POWER MANAGEMENT CONTROLLER ICS,GENERAL GATE-DRIVER,专用SIC栅驱动器,ISOLATED GATE-DRIVERS,电源管理控制器IC,SIC MOSFET,IV2Q12040BD,IV1B12009HA2L,IV1D12030BD,IV2Q07014T4Z,IV1Q12050D7Z,IVST12017MA1L,IV2Q12100BD,IV1Q12017T4ZG,IV1Q12160T4Z,IVST12080DA1L,IVCR2405DR,IV2Q12040T4Z,IV1D06020BD,IVCR1412SR,IV2Q12013T6Z,IV2Q06060BD,IV1Q12080T3Z,IV2Q171R0BD,IVCO1A01DQR,IV1Q12750T3,IV2Q12030D7Z,IV1D12015BD,IV2Q07014BA,IV2Q07014BD,IV2Q12160T4Z,IV1D06006F5,IVCO1A01DR,IV1B12013HA1L,IVSM12040HA2Z,IVSM07060HA2Z,IV2Q12200T4Z,IV2Q06060L1,IV1D06010O2,IVCO1A02DWR,IV1Q12030BDG,IV1Q12080T4Z,IV1Q12750BD,IV2Q171R0T3,IVCC1102DR,IV1Q06060BDG,IV2Q12040K1Z,IV1D06020T2,IV3D12060U3,IV1Q12050T3,IV1D12020T2,IV1Q12080BD,IV1Q12050T4,IVST12050SA1L,IVCR2504DR,IV1Q12017BDG,IV1D06006BD,IV1D06004O2,IV1D12020T3,IV1Q06060D7G,IV2Q12160BD,IVCR2402DR,IV2Q12160D7Z,IV2Q06040BD,IV2Q12017BD,IV1D12040U3Z,IVCR1801ASR,IVCO1A02DWQR,IV2B12003HA2L,IV1D06020U3Z,IV1Q06040T4Z,IV2Q12017BA,IV3D12030U3,IV1Q06060T4ZG,IV2Q12013BD,IV2Q12013BA,IV1D12010O2,IVCC1102F4AR,IVCO1412DDWQR,IVST12040DA1L,IV1D06010T2,IVCR1401DR,IV2Q0606003Z,IV1Q12080T3,IV1D12020BD,IV1D12040U3,IV1D06004P3,IV1Q12080T4,IV3D12015T2,IV2Q12080D7Z,IVCR2404MPQR,IV2Q06025BD,IVTM12080TA1Z,IV2Q17020T4Z,IV2Q06040L1,IV3B20023BA2,IV2Q20045BD,IV3D12030T2,IV2D12002BD,IVCO1A02DQR,IV1D12005BD,IVSM12080HA2Z,IVCC1104F4AR,IV2Q06025T4Z,IV2Q06040T4Z,IV2Q06060O3Z,IV1Q06060T4G,IV1D12040T2,IV2Q12100D7Z,IV2Q171R0D7Z,IV2Q06025L1,IVST12050MA1L,IVST12160DA1L,IVCR2403DR,IV1Q06040BD,IV1Q12160T3,IV1Q12160T4,IV1B12025HC1L,IV1Q12017BAG,IV2Q12200D7Z,IVO1411DDWQR,IV2Q20045T4,IV2D12020T2,IV2Q12200BD,IV2Q06060T4Z,IV2Q12030T4Z,IV2Q12040D7Z,IV2D12020BD,IV1D12040BD,IV6212004HA2,IV1Q06060T3G,IVCR1407ASR,IV1Q12050BD,IV1Q12017T4G,IV1D12010T2,IVCR1402DPQR,IV1D06004F5,IV2B12006HA1L,IV1Q06040T4,IV1Q06040T3,IV1D06010BD,IV1Q12160BD,IV1Q12750O3,IV1Q06040L1,IV1Q12160D7Z,IVCC1104DR,IV2Q12080BD,IV2Q175S0BD,IV2Q06025D7Z,IV6212004HB2,IVSM06025HA2Z,IVST12017SA1L,IV1D20020T2,IV1D12030U3,IV1D06004BD,IV1D06006O2,IV2D12020D2Z,IV2Q06040D7Z,IV2Q12017T4Z,IVCR2404DR,IV2Q06060D7Z,IVCO1A01DWR,IV1Q12030T4G,IV2Q17020BD,IV3D12020T2,IV1D12010BD,IV2D12002P2,IV2Q12030BD,IVST12120DA1L,IV2Q12080T4Z,IV1D06020U3,IVCO1A01DWQR,IV1D12030T2,IVCO1A02DR,IVHD122M1TA2Z,IV1D06006P3,IV1Q12050T4Z,IVCR2404MPR,IV1D12010P2Z,IV2Q12100T4Z,IV1D0601002,IVCR1401DPR,IV1Q06060L1G,IV2Q12080K1Z,IV1Q12080D7Z,IV2Q171S0BD,IV1D20020BD,IV1D12015T2,IV2D12002O2,IVSM12160HA2Z,IV1D12005O2,IV2Q171S0S1,WIND POWER,EV HEV,ELECTRIC VEHICLES,PV,新交通工具,NEW ENERGY,CHARGING PILES,DATA CENTER,POWER GRID,NEW TRANSPORTATION,电动汽车HEV,火车地铁,PHOTOVOLTAIC INVERTERS,ENERGY STORAGE,TRAIN SUBWAY,FLYING VEHICLES,CHARGER STATION,INDUSTRIAL POWER SUPPLIES,5G STATION,储能,充电桩,5G站,储能变流器,ENERGY STORAGE CONVERTERS,NEW INFRASTRUCTURE,新能源,新的基础设施,数据中心,工业电源,电网,飞行器,风电,充电站,光伏逆变器,电动车辆
【应用】工作电压高达35V的4A单通道隔离型SIC驱动IVCR1401,满足电机控制器电压需求
工业领域的电压电流会相对较高,耐压、过流能力优秀的SIC MOS、IGBT恰好满足需求但该类物料需要搭配对应的驱动芯片,瞻芯电子的IVCR1401DPR隔离型SIC驱动用于一电机控制器项目中,芯片传播延时低仅45ns,宽工作电压最高达35V。
【应用】国产SiC MOSFET IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计,最高效率可达96.5%
新能源汽车的快速发展,带来充电的需求,为了满足电动汽车的快速充电,充电桩直流充电模块在其中有着不可替代的作用,本文重点介绍瞻芯电子1200V的SiC MOS管 IV1Q12050T4助力30KW充电模块全桥LLC设计,最高效率可达96.5%。
当碳化硅遇见新能源:瞻芯电子亮相慕尼黑上海电子展,邀您共同探索高效能源转换技术边界
瞻芯电子已开发量产了650V-1700V平台的碳化硅(SiC)MOSFET、肖特基二极管及功率模块产品,规格参数齐全,且有多种贴片、插件、模块封装。同时,我们还围绕碳化硅(SiC)应用,开发了多种系列栅极驱动芯片,包括SiC专用驱动、通用驱动、隔离型驱动。此外,瞻芯电子首创了一系列CCM模拟控制芯片。
瞻芯电子新品速递 2024-07
瞻芯电子于2024年7月推出两款新品:SiC MOSFET和比邻驱动TM芯片。SiC MOSFET具备高速、低寄生电容、高可靠性和175℃工作结温等特点,适用于智能电网、高压直流变换器、开关电源等领域。比邻驱动TM芯片通过车规级可靠性认证,支持5.7kVrms隔离电压,适用于AC/DC和DC/DC变换器、电机驱动、车载逆变器等应用。
瞻芯电子 - 比邻驱动™芯片,SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IVCO1411FDWQR,IVCO141XF,IV2Q17040T4,IVCO1412FDWQR,IVCO1411,IVCO1412,车载逆变器,开关电源,电机驱动,直流变换器,DC/DC变换器,光伏升压,脉冲电源,宽禁带开关器件,逆变器,通信整流器,智能电网,高压直流变换器,AC/DC变换器,服务器,风能变换器,柔性直流输电
目前国内,碳化硅做的比较好的厂家有哪些?
目前国内的SIC发展迅速,器件稳定越来越高,市场上SIC二极管产品已经大批量在出货,主要应用在光伏、车载DCDC、充电桩、电源等产品上,同时也通过了车规认证,做的比较好的如世强代理的泰科天润、瞻芯等,SIC MOS这块也陆续有产品开始在小批量,整体可靠性也开始稳定,如瞻芯的SIC MOS产品已经在电源产品上开始批量,有兴趣可以在世强电商平台上检索相关资料,申请免费样品测试。
【元件】瞻芯电子新品车规级1700V SiC MOSFET,导通电阻标称1Ω,助力高效辅助电源
瞻芯电子开发的首款1700V碳化硅(SiC)MOSFET产品(IV2Q171R0D7Z)通过了车规级可靠性认证(AEC-Q101),导通电阻标称1Ω,主要用于各类辅助电源,在新能源汽车、光储充等领域有广泛需要,现已通过多家知名客户评估测试,逐步批量交付应用。
上海瞻芯电子的SiC MOSFET是否有正负压应力极限的数据?
瞻芯电子的SiC MOSFET栅极电压规范(+20V/-5V)是严格根据JEDEC来做的认证,保证产品在室温下工作寿命不小于10年。对于超出栅极电压规范的应用情况,主要有以下两个方面的考量。 第一,栅极本身的寿命模型主要由SiO2的TDDB(Time Dependent Dielectric Breakdown 时间依赖的介质击穿)模型来确定,已经有大量的数据表明SiC上生长的SiO2介质层的质量跟Si上生长的SiO2是一样优良的,所以从TDDB的角度来看,20V的栅介质所能承受的更高电压以及在该电压下的寿命模型跟Si MOSFET和IGBT是一致的;瞻芯电子正在用瞻芯自己的SiC MOSFET建立SiO2栅介质工艺和器件的寿命模型。 第二,SiC MOSFET跟Si MOS产品(MOSFET和IGBT)最大的差别和挑战就在于PBTI(Positive Bias Temperature Instability正偏压温度不稳定性)和NBTI(Negative Bias Temperature Instability负偏压温度不稳定性),加正偏压后器件Vth会增加,加负偏压后器件Vth会减小;在JEDEC认证条件下,在栅极电压规范内工作,器件的寿命是可以得到保证的;对于超出栅压规范的应用寿命模型,瞻芯电子正在搭建设备并且做详细规划和研究;总体说来,只要正栅压不超过25V,负栅压不低于-10V,Duty Cycle比较小的脉冲不会对器件造成性能的不可恢复性损伤,具体的定量关系和寿命模型会在第一轮研究结束时给出。
【视频】瞻芯电子CCM图腾柱PFC控制IC助力工业设备高效化
瞻芯电子 - PFC控制器,碳化硅MOS,CCM图腾柱PFC模拟控制IC,CCM图腾柱PFC控制IC,SIC MOS,IVCC1102,IVCO1A01,IVCR1401,IVCC110X,IV1Q06060T4,大功率手机,笔记本电脑充电器,服务器电源,航空电子电源,紧凑型PFC电源模块,工业设备,游戏XBOX电源,电视
IV2Q171R0D7–1700V 1000mΩSiC MOSFET
本资料介绍了InventChip Technology Co., Ltd.生产的IV2Q171R0D7型号1700V 1000mΩ碳化硅MOSFET的特性。该器件具有高阻断电压、低导通电阻、高速切换能力、高结温操作能力和快速且坚固的本征体二极管等特点。
瞻芯电子 - SIC场效应晶体管,SIC MOSFET,IV2Q171R0D7,SOLAR INVERTERS,AUXILIARY POWER SUPPLIES,SMART METERS,太阳能逆变器,SWITCH MODE POWER SUPPLIES,模式电源开关,辅助电源,智能电表
IV2Q171R0D7Z–1700V 1000mΩSiC MOSFET
该资料介绍了InventChip公司的IV2Q171R0D7Z型号1700V 1000mΩ碳化硅(SiC)金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。该产品采用第二代SiC MOSFET技术,具有高压、低导通电阻和高可靠性等特点,适用于光伏、辅助电源、开关电源和智能电表等领域。
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