EPC2302 – Enhancement Mode Power Transistor DATASHEET

2022-12-26
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■一般说明:

●EPC2302是一个1.8 mΩ最大RDS(ON)、100 V氮化铝®功率晶体管,采用低电感3 x 5 mm QFN封装,顶部裸露,可实现出色的热管理。它适用于40 V–60 V和48 V无刷直流电机驱动器之间的高频DC-DC应用。

●外壳顶部的热阻约为0.2°C/W,具有优异的热性能和易于冷却。该设备具有增强型PQFN“Thermal Max”封装。暴露的顶部增强了顶侧的热管理,侧面可润湿的侧面保证了整个侧焊盘表面在回流焊接过程中被焊料润湿,这保护了铜,并允许在该外部侧面区域进行焊接,以便于光学检查。

●与Si MOSFET相比,15 mm2的占地面积小于Rds(on)和额定电压相似的同类最佳Si MOSFET尺寸的一半,QG和QGD明显更小,QRR为0。这导致较低的开关损耗和较低的栅极驱动器损耗。此外,EPC2302速度非常快,可以以小于10ns的空载时间运行,以获得更高的效率,QRR=0对于可靠性和EMI来说是一个很大的优势。总之,EPC2302可实现最高的功率密度,这是因为效率提高、尺寸更小、开关频率更高、电感器更小、电容器更少。

●EPC2302使设计人员能够提高效率并节省空间。优异的热性能使冷却更容易且成本更低。氮化镓®FET的超低电容和零反向恢复使其能够在多种拓扑中高效运行。由于小而低的电感占地面积,性能进一步提高。

■特征:

●100伏
●典型值为1.4 mΩ,最大值为1.8 mΩRDS(ON)
●3 x 5 mm QFN封装
●用于顶侧热管理的外露顶部
●湿度等级MSL2
●增强型Thermal Max套装

EPC2302–增强型功率晶体管数据表

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  • 董明则 Lv7. 资深专家 2022-12-27
    学习
  • 用户56731903 Lv9. 科学家 2022-12-26
    了解一下!!!
  • 蒲公英种子 Lv7. 资深专家 2022-12-26
    学习
  • 小云帆 Lv7. 资深专家 2022-12-26
    学习了
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产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017
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