RM130N100HD N-Channel Super Trench Power MOSFET
●说明：RM130N100HD采用经过独特优化的超级沟槽技术，可提供最高效的高频开关性能。由于RDS（ON）和Qg的极低组合，导通和开关功率损耗都最小化。该设备是高频开关和同步整流的理想选择。
●一般功能
■VDS=100V，ID=130A
■RDS（ON）＜5.4mΩ@VGS=10V
■优秀的栅极电荷x RDS（on）产品
■电阻极低RDS（接通）
■无铅铅镀层
■100%UIS测试
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RM130N100HD N沟道超级沟槽功率MOSFET |
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DATA SHEET,数据手册,数据表 |
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详见资料 |
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TO-263-2L |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2022-12 |
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REV:A |
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1017 KB |
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品牌：丽正国际
品类：N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
价格：￥0.1576
现货： 5,000
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定制液冷板尺寸5mm*5mm~3m*1.8m，厚度2mm-100mm，单相液冷板散热能力最高300W/cm²。
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