BLP12N10G N-channel Enhanced Power MOSFETs

2023-01-05
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●描述：BLP12N10G，N沟道增强型功率MOSFET，通过先进的双沟道技术获得，可降低传导损耗，提高开关性能。这适用于同步整流器和高速开关应用。

●特征
■快速切换
■低导通电阻（RDS（导通）≤12mΩ）
■低栅极电荷
■低反向传输电容
■雪崩强度高
■RoHS产品

BLP12N10G N沟道增强型功率MOSFET

上海贝岭

BLP12N10G、BLP12N10G-Q

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