EPC2307 – Enhancement Mode Power Transistor
●氮化镓具有极高的电子迁移率和较低的温度系数,允许极低的RDS(ON),而其横向器件结构和多数载流子二极管提供极低的QG和零QRR。最终的结果是,该设备能够处理非常高的开关频率和低的接通时间有益的任务,以及那些通态损耗占主导地位的任务。
●应用说明:
■易于使用且可靠的栅极,栅极驱动器ON=5 V(典型值),OFF=0 V(不需要负电压)
■FET顶部与电源电连接
●福利
■更高的效率–更低的传导和开关损耗,零反向恢复损耗
■超小占地面积–更高的功率密度
EPC2307–增强型功率晶体管 |
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[ 交流/直流充电器 ][ 开关模式电源 ][ 适配器 ][ 高频DC-DC转换 ][ D类音频 ][ 无线电源 ][ 高功率激光雷达 ][ DTOF ] |
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数据手册,DATASHEET |
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详见资料 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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December, 2022 |
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1.3 MB |
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产品型号
|
品类
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Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
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Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
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