EPC2307 – Enhancement Mode Power Transistor

2023-01-06
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●氮化镓具有极高的电子迁移率和较低的温度系数,允许极低的RDS(ON),而其横向器件结构和多数载流子二极管提供极低的QG和零QRR。最终的结果是,该设备能够处理非常高的开关频率和低的接通时间有益的任务,以及那些通态损耗占主导地位的任务。

●应用说明:

■易于使用且可靠的栅极,栅极驱动器ON=5 V(典型值),OFF=0 V(不需要负电压)
■FET顶部与电源电连接
●福利
■更高的效率–更低的传导和开关损耗,零反向恢复损耗
■超小占地面积–更高的功率密度

EPC2307–增强型功率晶体管

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产品型号
品类
Configuration
VDSmax(V)
VGSmax(V)
Max RDS(on) (mΩ) @ 5 VGS
QG typ(nC)
QGS typ (nC)
QGD typ (nC)
QOSS typ (nC)
QRR(nC)
CISS (pF)
COSS (pF)
CRSS (pF)
ID(A)
Pulsed ID (A)
Max TJ (°C)
Package(mm)
Launch Date
EPC2040
Enhancement Mode Power Transistor
Single
15
6
30
0.745
0.23
0.14
0.42
0
86
67
20
3.4
28
150
BGA 0.85 x 1.2
Apr, 2017

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