BL4N65 Power MOSFET
●描述
■BL4N65是一种硅N沟道增强型MOSFET,采用先进的MOSFET技术,可降低传导损耗、提高开关性能和提高雪崩能量。该晶体管适用于SMPS、高速开关和通用应用。
●特征
■快速切换
■低Crss
■100%雪崩测试
■改进的dv/dt能力
■RoHS产品
BL4N65功率MOSFET |
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数据手册,Datasheet |
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详见资料 |
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TO-251;TO-220;TO-252;TO-220F |
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中文 英文 中英文 日文 |
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8/2019 |
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Rev 1.1 |
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1.4 MB |
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产品型号
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品类
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VDSS(V)
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ID(A)
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RDS(ON) (Ω)@VGS = 10V Typ.
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RDS(ON) (Ω)@VGS = 10V Max.
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VGS(th) (V) Min.
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VGS(th) (V)Typ.
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VGS(th) (V) Max.
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Package
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BL36N12L
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高压平面型场效应晶体管
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120
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36
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0.05
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