CJBD3020 PDFNWB3.3×3.3-8L-B Plastic-Encapsulate MOSFETS

2023-01-11
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■说明
●CJBD3020采用先进的沟槽技术和设计,以低栅极电荷提供出色的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。

■特征
●蓄电池开关
●负载开关
●超低RDS(ON)的高密度电池设计
●充分表征雪崩电压和电流
●具有高EAS的良好稳定性和均匀性
●出色的封装,散热良好
●高ESD能力的特殊工艺技术

CJBD3020 PDFNWB3.3×3.3-8L-B塑封MOSFET

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CJBD3020

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VDS(V)
VGS(V)
ID(A)
VGS(TH)(V)
RDS(mΩ)@VGS(10V Typ)
RDS(mΩ)@VGS(10V Max)
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Typ)
RDS(mΩ)@VGS(4.5V Max)
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