CJBD3020 PDFNWB3.3×3.3-8L-B Plastic-Encapsulate MOSFETS
■说明
●CJBD3020采用先进的沟槽技术和设计,以低栅极电荷提供出色的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
■特征
●蓄电池开关
●负载开关
●超低RDS(ON)的高密度电池设计
●充分表征雪崩电压和电流
●具有高EAS的良好稳定性和均匀性
●出色的封装,散热良好
●高ESD能力的特殊工艺技术
CJBD3020 PDFNWB3.3×3.3-8L-B塑封MOSFET |
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数据手册,datasheet |
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详见资料 |
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PDFNWB3.3×3.3-8L-B |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2022/11/15 |
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Rev. - 1.3 |
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1.4 MB |
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世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
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品类
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ESD(Yes/No)
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VGS(V)
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ID(A)
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