Enhancement-ModeGallium Nitride Technology

增强型氮化镓技术

本文介绍了eGaN®技术，这是一种基于氮化镓（GaN）的功率转换技术。与传统硅基功率器件相比，eGaN®器件具有更快的开关速度、更小的尺寸、更高的效率和更低的成本。文章详细阐述了eGaN®技术的优势，包括降低导通电阻、提高开关速度、减少电容和降低驱动电路所需的功率。此外，还介绍了eGaN®器件在汽车、医疗、LED照明、无线充电和太阳能等领域的应用。

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【视频】EPC2302，100V耐压，1.8mΩ超低导通电阻，尺寸仅3mm*5mm，QFN封装

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EPC（宜普）eGaN® 氮化镓晶体管（GaN FET）和集成电路及开发板/演示板/评估套件选型指南

eGaN FETs and ICs    eGaN® Integrated Circuits    Half-Bridge Development Boards    DrGaN    DC-DC Conversion    Lidar/Motor Drive    AC/DC Conversion   

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氮化镓集成电路简化仿人机器人电机关节逆变器设计

本文介绍了基于氮化镓（GaN）技术的逆变器设计，特别是在人形机器人电机关节逆变器中的应用。文章强调了GaN技术在提高开关频率、降低无源元件数量、减少开关损耗和提高功率密度方面的优势。EPC ePower™ Stage ICs技术简化了逆变器设计，并介绍了EPC23102/3/4系列GaN集成电路及其在逆变器性能中的应用。文章还讨论了EPC提供的参考设计板，这些设计板展示了GaN技术在电机驱动逆变器设计中的简化与空间减少。实验结果表明，GaN技术的应用提高了系统效率，并实现了更紧凑的逆变器设计。

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氮化镓可靠性和寿命预测：第16阶段

本报告详细探讨了氮化镓（GaN）器件的可靠性，包括失效机制、测试方法以及在不同应用中的可靠性预测。报告重点介绍了测试至失效方法在确定GaN器件内在失效机制方面的作用，并提供了针对不同应用（如太阳能、DC-DC转换和激光雷达）的可靠性预测指南。此外，报告还讨论了热机械可靠性、过电压指南以及优化焊接工艺的方法。

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将氮化镓场效应晶体管与专为硅MOSFET设计的控制器和栅极驱动器结合使用

本文探讨了使用通用门驱动器与氮化镓（GaN）FET配合使用时需要注意的关键因素。文章详细介绍了GaN FET与硅MOSFET之间的主要差异，包括门电压水平、开关速度、反向导通电压降和物理结构等。此外，文章还提供了将MOSFET驱动器转换为适用于GaN FET的建议步骤，包括使用外部自举二极管、自举钳位、门返回电阻和反向导通钳位等。最后，文章强调了在设计使用集成门驱动器的控制器IC时，需要考虑的布局和设计折衷方案。

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极端氮化镓–当氮化镓®FET暴露于远高于数据手册限制的电压和电流水平时会发生什么

本文探讨了宽禁带氮化镓（GaN）器件在超出数据表极限电压和电流条件下的表现。文章介绍了高效功率转换公司（EPC）对第五代100V额定EPC2045 eGaN FET进行的测试，分析了其在硬开关条件下承受高达150V漏源偏置的情况。此外，还讨论了超过数据表最大脉冲电流限制的短路电流测试结果。

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EPC氮化镓晶体管应用准备：第一阶段测试可靠性报告

本报告详细介绍了EPC公司增强型氮化镓（GaN）功率晶体管的可靠性测试结果。报告重点分析了GaN晶体管在动态RDS(on)方面的表现，并与其他文献报道的器件进行了比较。EPC的GaN晶体管在可靠性测试中表现出色，证明了其在商业应用中的可行性。报告还概述了EPC的GaN晶体管产品线，并讨论了未来研究的方向。

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