Alliance Memory AS7C1026B SRAM数据手册

时间： 2016-04-15

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AS7C1026B是一种高性能的CMOS 1048576位静态随机存取存储器（SRAM），其结构为65536字×16位。它专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。
相同的地址访问和周期时间（TAA、TRC、TWC）为10/12/15/20 ns，输出启用访问时间（TOE）为5、6、7、8 ns，是高性能应用的理想选择。
CE高时，设备进入待机模式。如果输入仍在切换，设备将消耗ISB电源。如果总线是静态的，则达到完全备用电源（ISB1）。例如，AS7C1026B在额定全备用条件下保证不超过55MW。写周期是通过断言写启用（we）和芯片启用（ce）来完成的。输入引脚I/O0至I/O15上的数据写入WE（写入周期1）或CE（写入周期2）的上升沿。为了避免总线争用，只有在输出被输出启用（OE）或写启用（WE）禁用后，外部设备才应该驱动I/O管脚。
读周期是通过断言输出使能（oe）和芯片使能（ce）具有高写使能（we）来完成的。芯片用输入地址引用的数据字驱动I/O管脚。当芯片启用或输出启用处于非激活状态或写启用处于激活状态时，输出驱动器保持在高阻抗模式。
该设备提供多个中心电源和接地引脚，以及单独的字节启用控制，允许写入和读取单个字节。LB控制低位，I/O0到I/O7，UB控制高位，I/O8到I/O15。
所有的芯片输入和输出都是TTL兼容的，操作来自一个5伏的电源。该设备采用通用工业标准封装。

厂牌:	ALLIANCE
型号:	AS7C1026B、AS7C1026B-10TCN、AS7C1026B-10JC、AS7C1026B-12JC、AS7C1026B-15JC、AS7C1026B-20JC、AS7C1026B-10TC、AS7C1026B-12TC、AS7C1026B-15TC、AS7C1026B-20TC、AS7C1026B-10JCN、AS7C1026B-12JCN、AS7C1026B-15JCN、AS7C1026B-20JCN、AS7C1026B-12TCN、AS7C1026B-15TCN、AS7C1026B-20TCN、AS7C1026B-10JI、AS7C1026B-12JI、AS7C1026B-15JI、AS7C1026B-20JI、AS7C1026B-10TI、AS7C1026B-12TI、AS7C1026B-15TI、AS7C1026B-20TI、AS7C1026B-10JIN、AS7C1026B-12JIN、AS7C1026B-15JIN、AS7C1026B-20JIN、AS7C1026B-10TIN、AS7C1026B-12TIN、AS7C1026B-15TIN、AS7C1026B-20TIN 查看更多 Part#
品类:	存储器、5 V 64K x 16 CMOS SRAM 查看更多
应用:	[ 工业电子 ][ 专为需要快速数据访问、低功耗和简单接口的内存应用而设计。 ][ 汽车电子 ][ 通信设备 ] 查看更多
资料类型:	数据手册查看更多
安规/环境规范:	ESD、JEDEC、Lead Free 查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	商业级/Commercial（C级）、工业级/Industrial（I级）查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	44-pin 400 mil SOJ;44-pin TSOP 2-400 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2004年03月26日
过期日期:
版本号:	v 1.3
文档编码:
文件大小:	430 KB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
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