JMTG060N06A JMT N-channel Enhancement Mode Power MOSFET

2023-02-09
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●特性
■60V，90 A
◆RDS（ON）<4.9mΩ@VGS=10V
■先进的沟槽技术
■提供出色的RDS（ON）和低栅极电荷
■无铅

JMTG060N06A JMT N沟道增强型功率MOSFET

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品类
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RDS(ON)_Max@VGS=10V(mΩ)
RDS(ON)_Typ@VGS=4.5V(mΩ)
RDS(ON)_Max@VGS=4.5V(mΩ)
VGS_Max(V)
EAS_Max(mJ)
Ciss_Typ(pF)
Coss_Typ(pF)
Crss_Typ(pF)
Qg_Typ(nC)
MPQ
MOQ
封装
JMSL040SAGQ
MOS
N
40V
387A
1.5V
0.58mΩ
0.75mΩ
0.8mΩ
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±20V
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