NP100P04PDG -40V – -100A – P-channel Power MOSFET

2023-02-28
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●说明:本产品是为高电流开关应用而设计的P沟道MOS场效应晶体管。

●特征
■超低导通电阻:

▲RDS(ON)=最大3.5 mΩ(VGS=-10 V,ID=-50 A)
▲RDS(ON)=最大5.1 mΩ(VGS=-4.5 V,ID=-50 A)
■低输入电容:Cis=15100 pF Typ。

■专为汽车应用而设计,并通过AEC-Q101认证。

■无铅(本产品外部电极中不含铅)

NP100P04PDG-40V–-100A–P沟道功率MOSFET

RENESAS

NP100P04PDGNP100P04PDG-E1-AY

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P通道功率MOSFETP沟道MOS场效应晶体管

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TO-263;MP-25ZP

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Jul.14.2022

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