NP100P04PDG -40V – -100A – P-channel Power MOSFET
●说明:本产品是为高电流开关应用而设计的P沟道MOS场效应晶体管。
●特征
■超低导通电阻:
▲RDS(ON)=最大3.5 mΩ(VGS=-10 V,ID=-50 A)
▲RDS(ON)=最大5.1 mΩ(VGS=-4.5 V,ID=-50 A)
■低输入电容:Cis=15100 pF Typ。
■专为汽车应用而设计,并通过AEC-Q101认证。
■无铅(本产品外部电极中不含铅)
NP100P04PDG-40V–-100A–P沟道功率MOSFET |
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数据手册,Datasheet |
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详见资料 |
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TO-263;MP-25ZP |
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中文 英文 中英文 日文 |
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Jul.14.2022 |
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Rev.1.01 |
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R07DS1512EJ0101 |
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1.5 MB |
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