增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
■颠覆性解决方案(disruptive solution)提升最终产品差异化及竞争力,开拓全新市场,商机庞大。氮化镓技术为您带来颠覆性解决方案!
■与硅MOSFET器件相比,基于氮化镓场效应晶体管的功率设计具备以下的优势:
▲更快速的开关速度
▲更小型化
▲更高效率
▲成本更低
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面向机器人技术的氮化镓场效应晶体管及集成电路市场简介
本文介绍了eGaN®技术及其在机器人技术中的应用。重点介绍了氮化镓场效应晶体管和集成电路在DC/DC功率转换、无人机、激光雷达/TOF、家用机器技术、BLDC电机、手术和医疗应用等方面的应用和优势。文章还提供了相关器件型号、配置、性能参数和开发板信息。
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EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
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品类
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Configuration
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VDSmax(V)
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VGSmax(V)
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Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
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QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
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COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
选型表 - EPC 立即选型
面向同步整流应用的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及集成电路应用简介
本文介绍了适用于同步整流的氮化镓场效应晶体管(eGaN®FET)及其集成电路的应用范围,包括100W至6kW DC/DC同步整流、服务器、网络通信及电信系统的AC/DC整流、LED和OLED电视的适配器和开关模式电源等。文章强调了采用氮化镓器件的优势,如尺寸小巧、高开关频率、无反向恢复、理想并联特性、优异散热性能和低EMI。同时,提供了eGaN®SR系列产品的参数对比,并展示了不同型号的半桥开发板和应用案例。此外,还提到了针对48V数据中心的高效GaN 1kW DC/DC转换器的设计资源和支持材料。
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【元件】EPC新推80V氮化镓晶体管EPC2204A/EPC2218A,具有较低的栅极电荷,可用于自动驾驶激光雷达
EPC推出了两颗新的80V AEC-Q101认证的氮化镓晶体管(GaN FETs),为设计者提供了比硅MOSFET更小、更高效的解决方案,可用于汽车48V-12V DC-DC转换、信息娱乐和自动驾驶的激光雷达。
EPC2252氮化镓®FET规格书
本资料介绍了EPC2252增强型功率晶体管,一款基于氮化镓(GaN)技术的器件。该产品具有低导通电阻、高开关频率和高效能的特点,适用于汽车激光雷达/TOF、服务器、脉冲电源、隔离电源、点负载转换器、音频放大器和LED照明等领域。
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用于飞行时间/激光雷达应用的氮化镓场效应晶体管和集成电路简介
本文档介绍了eGaN® FETs和ICs在时间飞行/激光雷达系统中的应用。eGaN技术通过提供快速开关、高效率和紧凑尺寸,优化了激光雷达系统的性能,使其能够实现更远、更快、更清晰的探测。文档详细介绍了不同型号的eGaN器件,包括其技术参数、配置和功能,以及适用于时间飞行/激光雷达系统的推荐器件。
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增强型氮化镓功率晶体管技术应用简介
本文介绍了eGaN® FET技术,这是一种基于氮化镓的功率晶体管技术。相比传统的硅MOSFET器件,eGaN FET具有更快的开关速度、更小型化、更高效率和更低成本的优势。氮化镓技术适用于多种应用,包括汽车、激光雷达、DC/DC转换器、马达驱动器、医疗应用、D类音频放大器、LED照明和无线充电等。此外,eGaN FET还通过了AEC-Q101车规级认证,确保了器件的可靠性和安全性。
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【产品】EPC推出最高密度和效率的抗辐射氮化镓晶体管EPC7004,可满足要求苛刻的空间应用
EPC扩展了其抗辐射氮化镓晶体管产品系列,用于关键星载和其他高可靠性环境中的电源转换解决方案,是该产品系列中的第五个抗辐射器件。EPC7004及抗辐射系列产品中的EPC7014、EPC7007、EPC7019以及EPC7018,与商用 eGaN®FET 和IC系列相同,均采用芯片级封装,封装器件将由EPC Space提供。
EPC2088–增强型功率晶体管
本资料介绍了EPC2088增强型功率晶体管,一款基于氮化镓(GaN)技术的器件。该晶体管具有极低的导通电阻和优异的热性能,适用于高效率电源转换应用。
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EPC(宜普)增强型氮化镓功率晶体管技术简介(中文版)
本文介绍了eGaN® FET技术,一种增强型氮化镓功率晶体管技术。与硅MOSFET相比,eGaN FET在开关频率、效率、功率密度等方面具有显著优势。文章详细阐述了eGaN FET的应用优势,包括无线电源、射频放大器、马达驱动器等,并提供了选型指南和设计支持资源。
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宜普将在CES 2024展示基于氮化镓技术的消费电子应用场景,分享为该领域产品增强功能和性能的解决方案
增强型氮化镓(eGaN®)FET和IC领域的全球领导者宜普电源转换公司(EPC)将在CES 2024展会展示其卓越的氮化镓技术如何为消费电子产品在功能和性能方面做出贡献 ,包括实现更高效率、更小尺寸和更低成本的解决方案。CES展会期间,EPC的技术专家将于2023年1月9日至12日在套房与客户会面、进行技术交流、讨论氮化镓技术及其应用场景的最新发展。
【应用】EPC推出适用于D类音频放大器的GaN FET解决方案,具有小尺寸的特点,可提高效率
与硅MOSFET相比,氮化镓器件的尺寸更小且电容更小。与最先进的硅MOSFET相比,氮化镓晶体管具备卓越的品质因数(FoM),在更高的频率下可实现更小、更高效、运行温度更低和成本更低的DC/DC转换器解决方案。
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