HM24N20K N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
●说明
■HM24N20K采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的RDS（ON）。它可以用于各种各样的应用。
●一般功能
■VDS=200伏，ID=24安培
▲RDS（开启）<80米Ω @ VGS=10V（型号：63mΩ)
■超低Rdson的高密度电池设计
■完全表征的雪崩电压和电流
■稳定性和均匀性好，EAS高
■出色的封装，散热良好
■具有高ESD能力的特殊工艺技术
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HM24N20K N沟道增强型功率MOSFET |
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[ 不间断电源 ] |
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数据手册,Datasheet |
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详见资料 |
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TO-252 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2022/11/7 |
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v1.1 |
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655 KB |
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产品型号
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品类
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工艺
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沟道
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封装
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VDS(Max) (BVDSS(V))
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ID(Max) (A)
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IDM (A)
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VTH (Typ) (V)
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VGS (V)
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RDS(ON) @10VTyp (mΩ/Ω)
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RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ/Ω)
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中压大电流SGT MOS
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