HM5N65 / HM5N65F 650V N-Channel MOSFET

时间： 2023-03-22

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●一般说明
■这种功率MOSFET是使用SL semi先进的平面条纹DMOS技术生产的。

■这种先进的技术经过特别定制，可以最大限度地减少导通电阻，提供卓越的开关性能，并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合低电压应用，例如DC/DC转换器和用于便携式和电池操作产品中的功率管理的高效开关。

●特征
■4.5A，650V，RDS（开启）=3.0@VGS=10 V
■低栅极电荷（典型15nC）
■高坚固性
■快速切换
■100%雪崩测试
■改进的dv/dt功能

中文标题（翻译）:	HM5N65/HM5N65F 650V N沟道MOSFET
厂牌:	虹美功率半导体
型号:	HM5N65、HM5N65F 查看更多 Part#
品类:	N沟道贴片MOS管、功率 MOSFET 查看更多
应用:	[ 电源管理 ][ 电池供电产品 ][ DC/DC转换器 ][ 便携式产品 ] 查看更多
资料类型:	数据手册,Datasheet 查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	TO-220;TO-220F 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2022/11/9
过期日期:
版本号:
文档编码:
文件大小:	686 KB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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产品型号	品类	工艺	沟道	封装	VDS(Max) (BVDSS(V))	ID(Max) (A)	IDM (A)	VTH (Typ) (V)	VGS (V)	RDS(ON) @10VTyp (mΩ/Ω)	RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ/Ω)
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