HMS17N65D, HMS17N65, HMS17N65F N-Channel Super Junction Power MOSFET Ⅱ

2023-03-23
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●一般说明
■该系列器件采用先进的超级结技术和设计,以低栅极电荷提供出色的RDS(ON)。这种超级结MOSFET符合行业对PFC、AC/DC功率转换和工业电源应用的AC-DC SMPS要求。

●特征
■高压设备新技术
■低导通电阻和低导通损耗
■小封装
■超低栅极电荷降低了驱动要求
■100%雪崩测试
■符合ROHS

HMS17N65D、HMS17N65、HMS17 N65F N沟道超级结功率MOSFETⅡ

虹美功率半导体

HMS17N65DHMS17N65HMS17N65F

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产品型号
品类
工艺
沟道
封装
VDS(Max) (BVDSS(V))
ID(Max) (A)
IDM (A)
VTH (Typ) (V)
VGS (V)
RDS(ON) @10VTyp (mΩ/Ω)
RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ/Ω)
HMS120N03D
中压大电流SGT MOS
SGT工艺(Split Gate)
N沟道
DFN5X6-8L
30V
120A
340A
1.7V
20V
1.95mΩ
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