HM30P55 P-Channel Enhancement Mode Power MOSFET

时间： 2023-03-29

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●描述
■HM30P55采用先进的沟槽技术和设计，以低栅极电荷提供出色的RDS（ON）。它可以用于各种各样的应用。

●一般功能
■VDS=-55V，ID=-30A；RDS（开启）<40米Ω @ VGS=-10伏
■超低Rdson的高密度电池设计
■完全表征的雪崩电压和电流
■稳定性和均匀性好，EAS高
■出色的封装，散热良好

中文标题（翻译）:	HM30P55 P沟道增强型功率MOSFET
厂牌:	虹美功率半导体
型号:	HM30P55 查看更多 Part#
品类:	P沟道增强型功率MOSFET 查看更多
应用:	[ 电源切换 ][ 不间断电源 ][ 硬开关高频电路 ] 查看更多
资料类型:	数据手册,数据表,Data sheet 查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	TO-220-3L 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2022/11/8
过期日期:
版本号:	v1.0
文档编码:
文件大小:	597 KB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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