HM3400KR N-Channel 30V (D-S) MOSFET

2023-04-10
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●一般说明
■HM3400KR是N沟道逻辑增强型功率场效应晶体管，使用高单元密度DMOS沟槽技术生产。这种高密度工艺特别适用于最小化导通电阻。

●特征
■RDS（ON）=450 mΩ@VGS=4.5伏
■RDS（ON）=550 mΩ@VGS=2.5伏
■超高密度电池设计，可实现极低RDS（ON）
■卓越的导通电阻和最大直流电流能力
■能够进行铜线键合

HM3400KR N沟道30V（D-S）MOSFET

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产品型号
品类
工艺
沟道
封装
VDS(Max) (BVDSS(V))
ID(Max) (A)
IDM (A)
VTH (Typ) (V)
VGS (V)
RDS(ON) @4.5VTyp (mΩ)
RDS(ON) @2.5VTyp (mΩ)
HM2302
N沟道低压MOS
沟槽工艺(Trench)
N沟道
SOT23
20V
3A
10A
0.7V
10V
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选型表  -  虹美功率半导体 代理服务 技术支持 采购服务 立即选型

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