HM180N02K N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET
●描述
■HM180N02K采用先进的沟槽技术和设计,以低栅极电荷提供出色的RDS(ON)。它可以用于各种各样的应用。
●一般功能
■VDS=20伏,ID=185A
▲RDS(开启)<2.0米Ω @ VGS=4.5伏
▲RDS(开启)<2.4米Ω @ VGS=2.5伏
■超低Rdson的高密度电池设计
■完全表征的雪崩电压和电流
■稳定性和均匀性好,EAS高
■出色的封装,散热良好
■具有高ESD能力的特殊工艺技术
HM180N02K N沟道增强型功率MOSFET |
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[ 不间断电源 ] |
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数据手册,Datasheet |
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详见资料 |
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TO-252-2L |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2022/11/10 |
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V2.0 |
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780 KB |
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现货: 5,000
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