GT25C04A Automotive 4-Kbit SPI Bus EEPROM
●一般说明
■GT25C04A是一款4K位串行EEPROM汽车级设备，可在125°C下运行，符合汽车标准AEC-Q100 1级规定的极高可靠性。GT25C04A利用标准串行外围接口（SPI）进行通信，并包含一个4K位（512x8）的存储器阵列，该阵列以每页16字节的形式组织。
■EEPROM的工作电压范围很宽，从1.7V到5.5V，最高可达20MHz，适合大多数应用。该产品提供低功耗操作和低待机电流。该设备提供无铅、RoHS、无卤素或绿色封装。可用的封装类型有8引脚SOIC、TSSOP和UDFN。
■该产品具有兼容的SPI接口：芯片选择（CS）、串行数据输入（SI）、串行输出（SO）和串行时钟（SCK），用于高速通信。此外，通过Hold引脚的Hold功能允许设备在必要时进入暂停状态，并在不重新初始化串行序列的情况下恢复通信。状态寄存器有助于灵活的写保护机制和设备状态监控。
■为了防止状态机在通电序列或电源切换断开条件下进入错误状态，实现了通电复位电路。在加电期间，设备不响应任何指令，直到电源电压（VCC）达到高于重置阈值电压的可接受的稳定电平。一旦VCC通过上电复位阈值，设备将被复位并进入待机模式。这也应避免在通电阶段进行任何无意的写入操作。在断电过程中，一旦VCC降至通电复位阈值电压以下，设备将进入待机模式。此外，如果没有进行内部写入操作，则设备在接收到停止命令后将处于待机模式。尽管如此，除非VCC在其操作级别内，否则发送命令是非法的。
■此产品可选地提供一个16字节的附加页面（标识页面）。标识页可用于存储敏感的应用程序参数，这些参数可以（稍后）永久锁定在只读模式下。
●特征
■串行外围接口（SPI）兼容
▲支持模式0（0,0）和模式3（1,1）
■宽电压操作
▲Vcc=1.7伏至5.5伏
■工作频率：
▲20 MHz，Vcc≥4.5V
▲10 MHz，适用于Vcc≥2.5V
▲Vcc≥1.7V时为5 MHz
■低功耗CMOS：
▲待机电流（最大）：3μA，5.5V
▲工作电流（最大）：5mA，5.5V
■内存组织：4Kb（512 x 8）
■页面大小：16字节
■字节和页面写入模式
▲允许部分页面写入
▲添加写入可锁定页面（标识页面）
■块写入保护
▲保护1/4、1/2或整个阵列
■自定时写入周期：4毫秒（最大）
■耐力：
▲25°C时的400万次写入周期
▲85°C时120万次写入周期
▲125°C时的600 k写入周期
■数据保留
▲125°C条件下50年
▲25°C条件下100年
■符合AEC-Q100 1级
■软件包：SOIC、TSSOP和UDFN
■ESD保护>4000V
■ 无铅、RoHS、无卤素、绿色
■除施密特触发器外，输入抗扰度
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GT25C04A汽车级4-kbit SPI总线EEPROM |
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GT25C04A、GT25C04A-2GLA1-TR、GT25C04A-2ZLA1-TR、GT25C04A-2UDLA1-TR |
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[ 高速通信 ] |
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数据手册,数据表,data sheet |
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详见资料 |
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SOIC;TSSOP;UDFN |
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中文 英文 中英文 日文 |
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Jun. 2022 |
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Revision A0 |
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2.3 MB |
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| 世强先进（深圳）科技股份有限公司 | |
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产品型号
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品类
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封装
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密度
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电源电压范围
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内存组织
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输出电流
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工作温度范围
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存储温度范围
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GT24C02C-2GLA2-TR
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I2C series EEPROM
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SO8
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2K
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1.7-5.5V
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1MHz
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256x8
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5mA
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-40℃ to +105℃
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-65℃~+150℃
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