SLD3095T 30V N -Channel MOSFET
●一般说明:
这种功率MOSFET是使用Msemitek的先进TRENCH技术生产的。这种先进的技术经过特别定制,可最大限度地减少导通损耗,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲
●特征:
■N通道:30V 80A RDS(开)典型值=4.0mΩ@VGS=10 V RDS(关)典型值=7.0mΩ@VGA=4.5V
■极低导通电阻RDS(On)
■低Crss
■快速切换
■100%雪崩测试
■改进的dv/dt功能
SLD3095T 30V N沟道MOSFET |
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数据手册,datasheet |
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详见资料 |
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TO-252;D-PAK |
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中文 英文 中英文 日文 |
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Jun. 2022 |
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Rev2.0 |
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1.2 MB |
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世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
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