SCS212AJ SiC Schottky Barrier Diode

SCS312AM SiC Schottky Barrier Diode

本资料为ROHM公司生产的SCS312AM碳化硅肖特基二极管的数据手册。该器件具有650V的反向电压、12A的正向电流和28nC的充电量，适用于PFC升压拓扑、次级侧整流和数据中心等应用。

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SCS212AG SiC Schottky Barrier Diode

本资料为ROHM公司生产的SCS212AG碳化硅肖特基二极管的数据手册。该器件具有650V的反向电压、12A的正向电流和18nC的开关电荷，适用于PFC升压拓扑、次级侧整流和数据中心等应用。

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SCS320AM SiC肖特基势垒二极管规格书

本资料详细介绍了ROHM公司生产的SCS320AM碳化硅肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode）。该产品具有650V的反向电压、20A的连续正向电流和47nC的充电量，适用于PFC升压拓扑和次级侧整流等应用。

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SCS212AM SiC Schottky Barrier Diode

本资料为ROHM公司生产的SCS212AM碳化硅肖特基二极管的数据手册。该二极管具有650V的反向电压、12A的正向电流和18nC的开关电荷，适用于PFC升压拓扑和次级侧整流等应用。

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SCS240KE2 SiC Schottky Barrier Diode

本资料为ROHM公司生产的SCS240KE2碳化硅肖特基二极管的数据手册。该器件具有1200V的反向电压和20A/40A的正向电流，适用于PFC升压拓扑、次级侧整流、数据中心和光伏功率调节器等应用。

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SCS315AM SiC肖特基势垒二极管规格书

本资料为ROHM公司生产的SCS315AM碳化硅肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode）的数据手册。资料详细介绍了该产品的电气特性、热特性、封装规格、尺寸、封装布局等，并提供了电气特性曲线和典型应用电路。

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SCS312AM SiC肖特基势垒二极管规格书

本资料详细介绍了ROHM公司生产的SCS312AM碳化硅肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode）的规格、特性、应用领域等。该二极管具有短恢复时间、低温度依赖性、高速切换能力、高浪涌电流能力等特点，适用于PFC升压拓扑、次级侧整流、数据中心、光伏功率条件器等领域。

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SCS206AG SiC肖特基势垒二极管

本资料为ROHM公司生产的SCS206AG碳化硅肖特基二极管的数据手册。该器件具有650V的反向电压、6A的正向电流和9nC的开关电荷，适用于PFC升压拓扑、次级侧整流和数据中心等应用。

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SCS306AM SiC肖特基势垒二极管规格书

本资料详细介绍了ROHM公司生产的SCS306AM碳化硅肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode）的规格、特性、应用领域和电气特性。该二极管适用于PFC升压拓扑和次级侧整流等应用，具有较短的恢复时间、较低的温度依赖性和高速开关能力。

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SCS320AHG SiC Schottky Barrier Diode

本资料为ROHM公司生产的SCS320AHG碳化硅肖特基二极管的数据手册。该器件具有650V的反向电压、20A的正向电流和47nC的快速恢复时间等特点，适用于高速开关和高浪涌电流应用。

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SCS306AM SiC Schottky Barrier Diode

本资料为ROHM公司生产的SCS306AM碳化硅肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode）的数据手册。该器件具有650V的反向电压、6A的正向电流和19nC的快速恢复时间等特点，适用于PFC升压拓扑、次级侧整流和数据中心等领域。

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SCS310AM SiC肖特基势垒二极管规格书

本资料为ROHM公司生产的SCS310AM碳化硅肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode）的数据手册。资料详细介绍了该产品的电气特性、热特性、封装规格、尺寸、焊接布局等信息，适用于需要高效率、高可靠性二极管的电子设备设计。

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SCS212AJ SiC Schottky Barrier Diode

本资料为ROHM公司生产的SCS212AJ碳化硅肖特基二极管的数据手册。该器件具有650V的反向电压、12A的正向电流和18nC的快速恢复时间，适用于PFC升压拓扑、次级侧整流和数据中心等应用。

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SCS220KE2 SiC Schottky Barrier Diode

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SCS308AM SiC肖特基势垒二极管规格书

本资料详细介绍了ROHM公司生产的SCS308AM碳化硅肖特基势垒二极管（SiC Schottky Barrier Diode）。该二极管具有650V的额定反向电压、8A的额定正向电流和21nC的快速恢复特性，适用于PFC升压拓扑和次级侧整流等应用。

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