PG6R5TG N-Channel MOSFET

2023-05-09
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●说明：
■这种N沟道MOSFET采用先进的SGT技术和设计，以低栅极电荷提供出色的RDS（导通）。

■它可以用于各种各样的应用。

●特征：
■VDS=90V，ID=120A，RDS（ON）<6.5mΩ@VGS=10V
■低栅极电荷。

■绿色设备可用。

■用于超RDS（ON）的先进高信元密度沟槽技术。

■出色的封装具有良好的散热性能。

PG6R5TG N沟道MOSFET

杜因特

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RDS(ON)(MΩ)at 4.5V(MAX)
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