龙夏电子（Long-Tek）MOSFET（成品）选型表

时间： 2023-05-16

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原标题:	T-MOS成品
厂牌:	龙夏电子
型号:	LM80N03T4、LM90N03T8、LM90N03T4、LM150N03T4、LM150N03T8、LR025N04T3、LR023N04T2、LR020N04T10、LR012N04T10、LR022N04T8、LR012N04S10、LR015N04T0、LR020N04T0、LR016N08S10、LR020N08S10、LR032N08S10、LR038N08SA10、LR046N08SA10、LR022N08S3、LR035N08S3、LR041N08SA3、LR049N08SA3、LR060N08S3、LR065N08S3、LR020N08S2、LR032N08S2、LR038N08S2、LR046N08SA2、LR063N08S2、LR020N08S0、LR032N08S0、LR020N08S1、LR032N08S1、LR038N08S1、LR049N08SA4、LR067N08S4、LR067N08S8、LR062N08SL8、LR016N95S10、LR053N95S3、LR055N09S3、LR055N95S3、LR072N09S3、LR051N95S2、LR052N09S2、LR052N95S2、LR069N09S2、LR074N09S4、LR052N95S8、LR072N09S8、LR022N10S10、LR018N10S10、LR037N10S10、LR032N10S10、LR030N10S3、LR040N10S3、LR045N10S3、LR055N10S3、LR027N10S2、LR038N10S2、LR042N10S2、LR052N10S2、LR022N10S0、LR037N10S0、LR022N10S1、LR045N10S1、LR078N10S4、LR072N10SL4、80N08S4、100N08S8、90N08S8、120N95S3、120N95S2、80N95S4 查看更多 Part#
品类:	N沟道 SGT MOS、N沟道 Trench MOS、T-MOS 查看更多
应用:	查看更多
资料类型:	选型指南查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	TO252;TO-247;TO-220;TO-252;TO-263;TO-263-7;TOLL;DFN56;TO25 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2023/4/17
过期日期:
版本号:
文档编码:
文件大小:	924 KB
授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
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概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供	世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应	世强硬创平台www.sekorm.com

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龙夏电子（Long-Tek）中低压MOSFET和TMBS（沟槽肖特基二极管）选型指南

公司简介技术路线和应用领域介绍 MOSFET/TMBS 产品技术介绍 MOSFET/TMBS 产品列表品质管理和测试设备介绍

龙夏电子 - MOSFET,沟槽型肖特基二极管,中低压 TMBS,SGT MOSFET晶圆,TRENCH MOSFET 晶圆,BMS大电流SGT MOS,光伏组件接线盒大电流LOW VF沟槽SBD,中低压SGT MOS晶圆,沟槽SBD,沟槽型功率MOSFET,SGT MOSFET 晶圆,中低压TMBS,中低压 SGT MOS 晶圆,SBD,TRENCH MOSFET,TMBS晶圆,晶圆,SGT MOSFET,中低压SGT MOS,TMBS 晶圆,莫斯中士,中低压MOSFET,沟槽MOS管,TRENCH MOSFET晶圆,TMBS,SGT MOS,中低压 MOSFET,绝缘栅场效应管,TRENCH MOS,中低压先进功率器件,屏蔽栅沟槽型功率MOSFET,沟槽式MOS,LD40N45SMS9,LR012N04T10,LR037N10S10,D10N45IG,D14N45I,LD10N4512,M17N80S,D13E45SEG,LR055N95S3,D161N45P,D16E45SEG,D10N45IU,LD40N45I2,D26E45SEG,D100N45P,LR030N10S3,LR046N08SA2,LR025N04T3,M10N100SC,LR049N08SA4,M26N100S,LR049N08SA3,LR016N08S10,LR053N95S3,M28N90S,D10N45I,LR022N08S3,D74N100T,M56N40T,LR023N04T2,M36N100,LR027N10S2,M26N95SA,LR038N10S2,LD50N45SOS9,LD20N45SHS6,LR012N04S10,LD40N45SNS9,LR040N10S3,LD35N45SMS6,LR032N08S10,D45N100T,D13N45IA,LR037N10S0,LR022N04T8,D324N45P,LD50N45SLD9,LD40N45SKD2,LR020N08S0,D13N45IU,LR022N10S10,M21N95SA,LR078N10S4,LD20N45SHS2,LD20N45SHS3,LR020N08S2,LR020N08S1,LR052N09S2,M17N100SF,LR055N09S3,D16E45SE,D23N45IU,D19E45SEG,LR038N08S1,D19E45SE,LR038N08S2,LR038N08SA10,LD25N45SHD9,LR032N08S1,LR035N08S3,LR032N08S0,LR018N10S10,LR067N08S8,LR032N08S2,LD30N100T3,LR067N08S4,M17N100S,LR074N09S4,LR020N08S10,D13E45SD,D23N45IM,LR051N95S2,M21N80SA,M36N95S,D23N45IL,LR072N10SL4,LD45N45SOS6,D36N68TG,LD30N45SLS9,M31N80SA,D50N100S,LR052N10S2,LD50N45SKD9,LR022N10S0,LR046N08SA10,LR063N08S2,TSR40L100CTF,LR072N09S8,LR072N09S3,D23N45I,D14N45IU,LR020N04T10,LR015N04T0,LR020N04T0,M26N40S,M31N95SA,M28N95S,M36N68TN,LD20N100T3,LD30N45SKS6,D37N100T,LD30N45SKS2,LD30N45SKS3,LD30N45SKS9,LR055N10S3,LR041N08SA3,D11N45S,LR049W08S1,LD25N45SJS6,LR032N10S10,LR065N08S3,M36N80S,LD25N45SJS2,LR052N95S8,M10N80S,M26N80SA,LR069N09S2,LR045N10S1,D250N45P,LR045N10S3,D27N100T,LR042N10S2,D11N45SU,D13N45I,LM120N08S1,LD10N100T2,LD10N100T3,按摩器材,太阳能组件接线盒,同步整流 PD 快充,BMS锂电保护板,同步整流PD快充,BMS 锂电保护板,电动自行车,动力锂电池,平衡车,电动工具,E-BIKE,电动车,移动智能终端,锂电动力行业,电源,消费类电子设备

2023/4/17 - 选型指南代理服务技术支持采购服务

龙夏电子MOSFET选型表

龙夏电子提供以下参数的MOSFET：Polarity：N,N+P；Configuration：Single，Dual；Package：TO-252、TO-220F、TO-263、TO-247等多种封装；VDS(V)：20V~800V；VGS(±V)：12V~30V；ID(A)@25°C：4A~372A；RDS(ON)(mΩ)TYP@10V：0.37mΩ~780mΩ；EAS(mj)：13mj~7482.25mj；Rg(Ω)：0.37Ω~20Ω；Ciss(pF)：6pF~16974pF；Coss(pF)：41pF~4863pF;Crss(pF):2pF~723pF

产品型号	品类	Polarity	Configuration	Package	VDS(V)	VGS(±V)	ID(A)@25°C	EAS(mj)
LR038N02T9	MOSFET	N	Single	PDFN3*3	20V	12V	80A	182.25mj

选型表 - 龙夏电子代理服务技术支持采购服务立即选型

SGT MOS导通电阻组成部分

SGT属于中低压功率MOSFET器件的一种，其沟道电阻占总导通电阻较大的比例，不过SGT导通过程中包含着更多的寄生电阻，以N型SGT为例，其中RCON代表欧姆接触电阻，RS代表源区电阻，RCH代表沟道电阻，RA代表积累层电阻。

2023-10-25 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

龙夏电子-新洁能/华羿微/华润微/思开MOS对照表

描述- 龙夏电子与新洁能（NCE ）、华羿微电、华润微（CR MICRO）、思开等品牌的MOS对照表，包含SGT MOS和Trench MOS。

型号- LR012N04T10,CRTT048N08N,CRTD084N08N,CRSM053N08N,HYG011N04LS1TA,NCE016N85,NCEP40T15A,HYG063N09NS1P,NCEP026N10D,CRST025N08N,LR046N08SA2,LR030N10S3,LR025N04T3,CRST033N08N,CRTT084N08N,LR049N08SA3,LR016N08S10,LR053N95S3,LR022N08S3,HYG054N09NS1C2,CRSS023N08N,LR027N10S2,CRST065N08N,HY4008P,CRST045N10N,CRSS031N08N,LR022N04T8,NCEP023N10,LR022N10S10,CRSZ025N10N,SS023N10LS,NCEP039N10D,LR020N08S2,HY4008B,CRSS063N08N,CRST024N10N4,CRST041N08N,LR038N08S1,LR038N08S2,NCEP40T13AGU,LR035N08S3,LR032N08S1,LR032N08S0,90N08S8,CRSS046N08N,HY3708B,LR032N08S2,HY4008W,HY3708W,LR067N08S4,NCE 3080,CRST060N08N3,LR074N09S4,HYG032N08NS1B6,CRSQ036N10N,LR020N08S10,HY3708P,SS018N08LS,LR051N95S2,NCEP85T12D,120N95S3,CRSS052N08N,120N95S2,CRTT039N08N,CRST030N10N,HY4008NA2W,HY4008NA2P,CRST038N08N3,CRSS042N10N,CRSZ019N10N4,CRSS038N08N,NCEP01T15,HY4008NA2B,LR063N08S2,CRSS057N08N3,JMSH0804AE,LR072N09S3,NCEP029N10D,NCEP026N10LL,HYG032N08NS1W,NCEP023N10LL,NCEP85T11,HYG015N10NS1TA,NCEP8588,CRSS028N10N,100N08S8,CRSZ020N08N,LR041N08SA3,HYG022N10NS1TA,LR065N08S3,LR052N95S8,NCEP01T18VD,HY4008B6,NCEP01T25LL,CRTS084N08N,HYG035N08NS2P,120N08SA2,NCEP040N10D,120N08SA3,CRST055N08N,CRSS037N08N3,LR045N10S1,CRSM058N08N3,LR045N10S3,LM80N03T4,LR042N10S2,NCEP023N10D,HYG055N09NS1B,CRST049N08N

对照表 - 龙夏电子选型替换

LM80N03T4 N-MOSFET 30V，80A，4.9mΩ

该资料介绍了LM80N03T4型号的N-MOSFET器件，其具有30V电压额定值、80A连续漏极电流和低导通电阻（RDS(ON)=4.9mΩ）。产品采用先进的沟槽工艺技术和高密度单元格设计，适用于电池保护和电源管理应用。

龙夏电子 - N-MOSFET,N-MOSFET场效应管,LM80N03T4,BATTERY PROTECTION,POWER MANAGEMENT,电源管理,电池保护

2019-11-21 - 数据手册 - Rev:01 代理服务技术支持采购服务查看更多版本

LM150N03T4 N-MOSFET 30V，150A，3.2mΩ

该资料介绍了型号为LM150N03T4的N-MOSFET器件，其具有30V电压额定值、150A连续漏极电流和3.2mΩ导通电阻。产品采用先进的沟槽工艺技术和高密度单元设计，适用于电池保护和电源管理等领域。

龙夏电子 - N-MOSFET,N-MOSFET场效应管,LM150N03T4,BATTERY PROTECTION,POWER MANAGEMENT,电源管理,电池保护

2020-1-19 - 数据手册 - Rev:1.0 代理服务技术支持采购服务

龙夏电子40V-MOSFET选型表

龙夏电子提供如下参数的40V-MOSFET：N道沟槽，BV:40V；ID：120-320A；Vth Typ：1.6-3V；Ron typ:0.9-1.8mΩ；Ron Max：1.2-2mΩ；EAS：1190-2970mj

产品型号	品类	N/P管	状态	BVDSS（V）	ID（A）	Vth Typ (V)	Ron(mΩ) typ @ 10V(mΩ)	Ron(mΩ) Max @ 10V(mΩ)	EAS （mj）
LR020N04T10	MOSFET	N	MP	40	160	3	1.7	2	1406

选型表 - 龙夏电子代理服务技术支持采购服务立即选型

一文介绍封装工艺

本文龙夏电子介绍封装工艺，封装工艺包含背面研磨(Back Grinding)、划片(Dicing)、芯片键合(Die Bonding)、引线键合(Wire Bonding)及成型(Molding)等步骤。

2023-10-25 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务

SGT电容的组成部分介绍

SGT和普通MOSFET一样，其寄生电容分为三大部分：栅源电容CGS，栅漏电容CGD以及漏源电容CDS（也可分为输入电容Ciss和输出电容Coss）。栅源电容CGS分为四部分，主要由栅极与源电极之间的电容CGS1，栅极与N+源区之间的电容CGS2，栅极与P型体区之间的电容CGS3，以及栅极与屏蔽栅（与源极共端）之间的电容CGS4。

2023-11-30 - 技术探讨代理服务技术支持采购服务