SR3139KS4 P-Channel Enhancement Mode MOSFET
●特性
■先进的沟槽式工艺技术
■低阈值电压
■快速开关速度
■无卤素和无铅
■在低逻辑电平栅极驱动下工作
■P沟道开关,具有低RDS(ON)
SR3139KS4 P沟道增强型MOSFET |
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DATA SHEET,数据手册,数据表 |
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详见资料 |
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SOT-523 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2023/2/24 |
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VER A01 |
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S04S40004 |
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1.1 MB |
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产品型号
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品类
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封装
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Type
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Vds(V)
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Vgs(V)
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Rds(on) Vgs=10V Typ(mΩ)
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Rds(on) Vgs=10V Max(mΩ)
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Rds(on) Vgs=4.5V Typ(mΩ)
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Rds(on) Vgs=4.5V Max(mΩ)
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VGS(th) Min(V)
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VGS(th) Max(V)
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ID (A)
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PD (W)
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ESD
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Dynamic.Ciss(pf)
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Dynamic.Coss(pf)
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Dynamic.Crss(pf)
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Dynamic.Rg(Ω)
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Marking
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SR3406
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MOSFET
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SOT23
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SN
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30
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20
|
65
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82
|
75
|
95
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1
|
3
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3.6
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1.25
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No
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288
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57
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39
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3
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R6
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