SLH9N90C SLW9N90C 900V N-Channel MOSFET

2023-05-19
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●一般说明
■这种功率MOSFET是使用Msemitek先进的平面条纹DMOS技术生产的。

■这项先进的技术经过专门定制,可最大限度地减少导通电阻,提供卓越的开关性能,并在雪崩和换向模式下承受高能脉冲。这些设备非常适合高效开关模式电源和基于半桥拓扑的有源功率因数校正。

●特征
■9A,900V,RDS(打开)典型值=975mΩ@VGS=10 V
■低栅极电荷(典型值为80nC)
■低Crss(典型36pF)
■快速切换
■100%雪崩测试
■改进的dv/dt功能

SLH9N90C SLW9N90C 900V N沟道MOSFET

美浦森

SLH9N90CSLW9N90C

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