70T633/1S HIGH-SPEED 2.5V 512/256K x 18 ASYNCHRONOUS DUAL-PORT STATIC RAM WITH 3.3V 0R 2.5V INTERFACE

时间： 2023-06-05

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●描述
■IDT70T633/1是一款高速512/256K x 18异步双端口静态RAM。IDT70T633/1设计为用作独立的9216/4608K位双端口RAM，或用作36位或更多字系统的主/从双端口RAM组合。在36位或更宽的存储系统应用中使用IDT MASTER/SLAVE双端口RAM方法可以实现全速、无错误的操作，而无需额外的离散逻辑。

■该设备提供了两个独立的端口，具有独立的控制、地址和I/O引脚，允许对内存中的任何位置进行独立的异步访问。由芯片控制的自动断电功能使能（CE0或CE1）允许每个端口的芯片上电路进入非常低的待机功率模式。

■IDT70T633/1具有快速写入模式，该模式允许设计者在每个周期不脉冲R/W输入的情况下执行背靠背写入操作。这在IDT70T633/1的10ns循环时间下尤为重要，从而在这些高性能水平下简化了设计考虑。

■70T633/1可在一个或两个端口上支持3.3V或2.5V的工作电压，由OPT引脚控制。设备核心（VDD）的电源保持在2.5V。

中文标题（翻译）:	70T633/1S高速2.5V 512/256K x 18异步双端口静态RAM，带3.3V 0R 2.5V接口
厂牌:	RENESAS
型号:	70T633/1S、IDT70T633/1、XXXXXA999AAAA、70T633S10BC、70T633S10BC8、70T633S10BCGI、70T633S10BCI、70T633S10BCI8、70T633S10BF、70T633S10BF8、70T633S10BFG、70T633S10BFG8、70T633S10BFGI、70T633S10BFGI8、70T633S10BFI、70T633S10BFI8、70T633S12BC、70T633S12BC8、70T633S12BCI、70T633S12BCI8、70T633S12BF、70T633S12BF8、70T633S12BFGI、70T633S12BFGI8、70T633S12BFI、70T633S12BFI8、70T633S15BC、70T633S15BC8、70T633S15BF、70T633S15BF8、70T631S10BC、70T631S10BC8、70T631S10BCI、70T631S10BCI8、70T631S10BF、70T631S10BF8、70T631S10BFI、70T631S10BFI8、70T631S12BC、70T631S12BC8、70T631S12BCI、70T631S12BCI8、70T631S12BF、70T631S12BF8、70T631S12BFI、70T631S12BFI8、70T631S15BC、70T631S15BC8、70T631S15BF、70T631S15BF8、70T633S、70T631S、70T633/1、IDT70T631、70T633/1S10、70T633/1S12、70T633/1S15、70T6331S12、70T633 查看更多 Part#
品类:	单机9216/4608K位双口RAM、4Mbit（256K X 18）2.5V异步双端口RAM、高速512/256K X 18异步双端口静态RAM、组合式主/从双口RAM、9Mbit（512K X 18）2.5V异步双端口RAM、高速2.5V 512/256K X 18异步双端口静态RAM 查看更多
应用:	查看更多
资料类型:	数据手册,数据表,Data Sheet 查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	CABGA;BC256;BCG256;BF208;BFG208 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	08/30/19
过期日期:
版本号:
文档编码:	DSC-5670/11
文件大小:	1.5 MB
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
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