QX354X Photo Transistor

2023-06-12
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●描述
■QX354X是由发光二极管和光电晶体管组成的光电耦合器。按照SOP，它被封装在4引脚封装中。

●特点
■电流传输率：≥20%（IF=±1mA，VCE=5V，Ta=25℃）
■输入和输出之间的高隔离电压（VISO=3750 Vrms）
■集电极-发射极击穿电压BVCEO≥80V。

■符合强化绝缘标准
■符合安全标准批准：UL 1577、VDE DIN EN60747-5-5（VDE 0884-5）、CQC11-471543-2022

QX354x光电晶体管

群芯微

QX354X、QX354X-UNY-W(V)(ZZ)

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