Development Board EPC9148 Quick Start Guide:48 V Three-level Synchronous Buck Converter, Using EPC2053
●说明
■EPC9148演示板是一款最大输入电压为60 V、最大输出电流为12.5 a、输出电压为19 V、组件高度仅为3.5 mm的超薄三电平同步降压转换器。
■它具有40V EPC2055和100V EPC2053以及EPC2038氮化镓FET。该演示板的目的是简化对基于氮化镓FET的多级同步降压转换器的评估。
■EPC9148开发板的简化框图如图1所示。它包含一个用于Q1的EPC2053,三个用于功率级中的Q2-Q4的EPC2055,以及三个用于具有uPI半导体uP1966E栅极驱动器的同步自举栅极驱动电路的EPC2038氮化镓FET。
■该板还包括车载内务电源、数字控制器、电流和电压传感以及输出滤波器。输入和输出电压的开尔文感测测试点被提供用于精确的效率测量。
开发板EPC9148快速入门指南:48 V三电平同步降压转换器,使用EPC2053 |
|
|
|
用户指南,快速入门指南,Quick Start Guide |
|
|
|
详见资料 |
|
|
|
|
|
|
|
中文 英文 中英文 日文 |
|
2023/3/28 |
|
|
|
Revision 1.0 |
|
|
|
2.1 MB |
|
世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
世强硬创平台www.sekorm.com | |
世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/ | |
世强硬创平台www.sekorm.com | |
世强硬创平台www.sekorm.com |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文内容由EPC品牌授权世强硬创平台转载,旨在分享知识与信息,如有内容侵权或者其他违规问题,请及时与我们联系,我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容,世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
EPC90155开发板快速入门指南
EPC90155是一款集成了EPC2057 eGaN® FET的半桥开发板,旨在简化EPC2057的评估过程。该板包含两个EPC2057 eGaN FET和EPC2038 GaN FET,以及uPI Semiconductor uP1966E门驱动器。支持单输入和双输入PWM信号输入,可配置死区时间和极性改变电路。提供Buck和Boost转换器配置,支持波形测量和效率计算。
EPC - 开发板,DEVELOPMENT BOARD,半桥式开发板,HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARD,EPC90155,EPC2057,EPC2038
EPC90122开发板80 V半桥,带栅极驱动,使用EPC2206快速入门指南
本资料为EPC90122开发板的快速入门指南,介绍了该开发板的功能、性能参数、配置步骤和注意事项。该开发板是一款基于EPC2206 eGaN FET的80V半桥驱动板,适用于降压和升压转换器配置。指南中详细说明了如何连接电源、开关节点、栅极驱动和PWM控制信号,并提供了测量波形和效率计算的方法。此外,还讨论了热管理、测量注意事项和可选组件。
EPC - 开发板,DEVELOPMENT BOARD,EPC90122,EPC2038,EPC2206
EPC9194演示板快速入门指南
EPC9194演示板是一款基于EPC2302 eGaN FET的3相BLDC电机驱动逆变器板,适用于100V电压,最大RDS(on)为1.8mΩ。该板可提供每相高达60Apk(最大40ARMS输出电流)。EPC9194支持多相DC-DC转换,EPC2302在电机驱动应用中支持高达250kHz的PWM开关频率,在DC-DC应用中支持高达500kHz。该板包含所有必要的功能电路,以支持完整的电机驱动逆变器,包括栅极驱动器、辅助电源轨、电压和温度感应、精确的电流感应和保护功能。
EPC - INVERTER BOARD,氮化镓®场效应晶体管,演示板,控制器板,CONTROLLER BOARD,氮化镓场效应晶体管,GAN FET,INTERFACE CONTROLLER,氮化镓场效应管,逆变器板,EGAN FET,接口控制器,EGAN® FET,DEMONSTRATION BOARD,BOARD,板,EPC9147E,EPC2302,EPC9147C,EPC9528,EPC9194,EPC9147A,EPC9147B,MOTOR DRIVE,三相无刷直流电机驱动逆变器,DC-DC转换器,电动机驱动,3-PHASE BLDC MOTOR DRIVE INVERTER,DC–DC CONVERTER
EPC eGaN®FET/晶体管选型表
EPC提供增强型氮化镓半桥功率晶体管/增强型功率晶体管/功率晶体管的选型:配置:Dual Common Source、Dual with Sync Boot、Half Bridge、Half Bridge Driver IC、HS FET + Driver + Level Shift、Single、Single - AEC Q101、Single – Rad Hard、Single with Gate Diode、Single with Gate Diode – AEC-Q101、Dual Common Source - AEC Q101,VDS最大值(V):15~350V;VGS最大值(V):5.75~7V
产品型号
|
品类
|
Configuration
|
VDSmax(V)
|
VGSmax(V)
|
Max RDS(on) (mΩ)
@ 5 VGS
|
QG typ(nC)
|
QGS typ (nC)
|
QGD typ (nC)
|
QOSS typ (nC)
|
QRR(nC)
|
CISS (pF)
|
COSS (pF)
|
CRSS (pF)
|
ID(A)
|
Pulsed ID (A)
|
Max TJ (°C)
|
Package(mm)
|
Launch Date
|
EPC2040
|
Enhancement Mode Power Transistor
|
Single
|
15
|
6
|
30
|
0.745
|
0.23
|
0.14
|
0.42
|
0
|
86
|
67
|
20
|
3.4
|
28
|
150
|
BGA 0.85 x 1.2
|
Apr, 2017
|
BRC Solar Selects EPC 100V eGaN FETs for Next Generation Solar Optimizer
Designing EPC‘s EPC2218 100V FETs into BRC Solar GmbH‘s next generation M500/14 power optimizer has enabled a higher current density due to the low power dissipation and the small size of the GaN FET making the critical load circuit more compact.
【经验】EPC分享eGaN FET如何缩小现代电源电路的物理尺寸——以LLC谐振转换器的设计为例
EPC设计的氮化镓场效应管具有小尺寸,高功率密度的特点,本文从LLC谐振转换器的设计说明了eGaN FET如何缩小现代电源电路的物理尺寸,并提高功率密度。
【产品】EPC扩展100V eGaN FET系列,为48V DC-DC转换提供同类最佳性能和成本
EPC推出了EPC2053 eGaN FET,具有更高的效率、更小的尺寸以及更低的成本,适用于高性能的48V DC-DC转换应用,与EPC2045、EPC2052和EPC2051一起,为设计人员提供了全面的100V氮化镓晶体管产品系列。
EPC评估套件选型表
EPC提供评估板的选型:Default Configuration:IToF、Resonant Pulse DToF;VBUS (max)(V):12~160V;VINPUT(max)(V):5 V;Tpin(min)(ns):1 ns/2 ns
产品型号
|
品类
|
Description
|
VIN(V)
|
VOUT(V)
|
IOUT (A)
|
Featured Product
|
EPC9163
|
评估板
|
Synchronous, Buck or Boost, digital controller
|
Buck: 20 – 60 V
Boost: 11.3 – 16 V
|
Buck: 5 - 16 V
Boost: 20-50 V
|
140 A (Buck)
|
EPC2218
|
【产品】EPC新推3mΩ/40V的eGaN FET,适合USB-C电池充电器、超薄型负载点转换器
2020年12月,增强型硅基氮化镓(eGaN)功率场效应晶体管和集成电路的全球领先供应商宜普电源转换公司(EPC),推出了3mΩ/40V的EPC2055增强型氮化镓场效应晶体管(eGaN FET),以提高现有低压氮化镓晶体管的产品性能。
How To Use An EPC Development Board to Evaluate The Performance of A Given GaN FET or IC in Common Applications?
This article have shown that an EPC development board can easily be utilized to evaluate the performance of a given GaN FET or IC in common applications with very little setup effort.
【产品】全新170V/6.8mΩ的eGaN FET EPC2059,尺寸仅2.8×1.4mm
EPC推出的EPC2059是一款增强型氮化镓功率晶体管(eGaN FET),漏源电压170V,典型导通电阻6.8mΩ,连续漏极电流24A,脉冲漏极电流102A,仅以带有焊条的钝化芯片形式提供,芯片尺寸2.8mm×1.4mm,无卤素。
EPC9068开发板快速入门指南:带同步FET自举栅极驱动的EPC8010 100 V半桥
EPC9068开发板是一款基于EPC8010 eGaN FET的100V半桥驱动板,具备2.7A最大输出电流。该板集成了同步FET自举电路,以减少驱动器内部自举二极管反向恢复损耗引起的高侧器件损耗。板载所有关键组件,支持ZVS类D或Buck转换器配置,便于评估EPC8010 eGaN FET的性能。资料提供了性能总结、连接和测量设置、热管理注意事项以及组件清单。
EPC - 开发板,EGAN FETS,场效应晶体管,FET,DEVELOPMENT BOARD,DEMONSTRATION SYSTEM,氮化镓场效应晶体管,ENHANCEMENT MODE (EGAN®) FIELD EFFECT TRANSISTOR,演示系统,增强型(氮化镓®)场效应晶体管,EPC2038,EPC8010,EPC9068
EPC Launches 40V EPC2055 eGaN FET Ideal for High Power Density Solutions for USB-C Battery Chargers and Ultra-thin Point-of-Load Converters
December 2020 — Efficient Power Conversion (EPC) Corporation advances the performance capability of low voltage, off-the-shelf gallium nitride transistors with the introduction of the EPC2055 (3mΩ, 40V) eGaN FET. This device is ideal for applications with demanding requirements for performance in space-constrained form factors including USB-C batter chargers and ultra-thin point-of-load (POL) converters.
【产品】EPC新型200V eGaN FET的性能相比传统Si MOSFET提高了一倍
EPC推出新型200V eGaN FETs(氮化镓增强型功率晶体管),相比于传统的硅功率MOSFET的性能提高了一倍。新第五代设备的尺寸仅为上一代产品的一半,栅电极和源电极之间的距离有所减小,金属层的厚度增加等诸多改进使第五代FET的性能提高了一倍。
EPC90128开发板快速入门指南
EPC90128是一款基于100V EPC2044 eGaN®FET的半桥开发板,旨在简化EPC2044的评估过程。该板包含所有关键组件,支持单输入和双输入PWM信号,并具有死区时间生成电路。资料详细介绍了如何将开发板配置为降压或升压转换器,包括设置跳线、连接电源和负载、测量波形以及考虑热管理等方面。
EPC - 开发板,氮化镓®场效应晶体管,EGAN®FET,DEVELOPMENT BOARD,EGAN FET,半桥式开发板,氮化镓场效应晶体管,HALF BRIDGE DEVELOPMENT BOARD,BOARD,板,EPC2038,EPC90128,EPC2044
电子商城
现货市场
登录 | 立即注册
提交评论