APG4015G-AU N-Channel Enhancement Mosfet
特色:
■40V,150A RDS(ON)<2.1mΩ@VGS=10V(典型值:1.6mΩ)RDS(ON)<3.1mΩ@VGS=4.5V(典型值:2.2mΩ)
■分离栅极沟槽技术
■获得无铅产品
■出色的RDS(on)和低栅极电荷
■TJmax=175℃
■AEC-Q101认证
APG4015G-Au N沟道增强型MOSFET |
|
数据手册,数据表,data sheet |
|
|
|
详见资料 |
|
|
|
|
|
PDFN5X6 |
|
中文 英文 中英文 日文 |
|
2022/11/4 |
|
|
|
V1.0 |
|
|
|
1.3 MB |
|
世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
世强硬创平台www.sekorm.com | |
世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/ | |
世强硬创平台www.sekorm.com | |
世强硬创平台www.sekorm.com |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文内容由铨力半导体品牌授权世强硬创平台转载,旨在分享知识与信息,如有内容侵权或者其他违规问题,请及时与我们联系,我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容,世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
APG018N15G N沟道增强型MOSFET数据手册
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,APG018N15G,脉宽调制应用,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
APG082N01 N沟道增强型MOSFET
本资料介绍了APG082N01型N沟道增强型MOSFET的特性及应用。该器件采用Split Gate trench技术,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,APG082N01,脉宽调制应用,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
AP6N10A N沟道增强型MOSFET
本资料介绍了AP6N10A型号的N-Channel Enhancement Mosfet,详细描述了其电气特性、应用领域、封装信息以及典型特性曲线。该产品具有低导通电阻、低栅极电荷和高性能沟槽技术等特点,适用于DC/DC转换器、负载开关和电源管理等应用。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,AP6N10A,POWER MANAGEMENT,电源管理,DC/DC变换器,DC/DC CONVERTER,LOAD SWITCH,负载开关
APG4015G N沟道增强型MOSFET
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,APG4015G,脉宽调制应用,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
AP040N03G N沟道增强型MOSFET数据手册
该资料详细介绍了AP040N03G型号的N-Channel Enhancement Mosfet(增强型N沟道MOSFET)的电气特性、应用领域、封装信息等。资料中涵盖了产品的最大额定值、电气特性、开关特性、源漏二极管特性等关键参数,并提供了典型特性曲线和封装信息。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,AP040N03G,LOAD SWITCH,负载开关
APG018N03G N沟道增强型MOSFET
该资料详细介绍了APG018N03G型号的N-Channel Enhancement Mosfet(增强型N沟道MOSFET)的电气特性、应用领域、封装信息等。资料中提供了该产品的关键参数,如漏源电压、栅极源极电压、持续漏极电流、导通电阻等,并说明了其在电源管理和DC/DC转换器等领域的应用。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,APG018N03G,POWER MANAGEMENT,电源管理,DC/DC CONVERTERS,DC/DC转换器
APG095N01K N沟道增强型MOSFET数据手册
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,APG095N01K,脉宽调制应用,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
APG250N01Q N沟道增强型MOSFET数据手册
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,APG250N01Q,脉宽调制应用,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
APG046N01G N沟道增强型MOSFET数据手册
本资料为某款电子元器件的修订历史记录,包含产品版本更新、发布日期和备注。同时,附带了免责声明,强调产品在非标准工作条件下的性能不可保证,并提醒用户在使用过程中需自行评估产品功能。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,APG046N01G,脉宽调制应用,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
APG024N04G-Au N沟道增强型MOSFET
该资料介绍了APG024N04G-AU型号的N沟道增强型MOSFET的特性。它具有40V的最大漏源电压、120A的连续漏极电流和低导通电阻,适用于PWM应用和负载开关电源管理。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,APG024N04G-AU,脉宽调制应用,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
APG068N04G N沟道增强型MOSFET数据手册
本资料介绍了APG068N04G型号的N沟道增强型MOSFET。该器件采用Split Gate trench技术,具有低导通电阻和高开关速度的特点,适用于PWM应用、负载切换和电源管理等领域。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,APG068N04G,脉宽调制应用,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
AP30H80G N沟道增强型MOSFET
本资料介绍了AP30H80G N-Channel增强型MOSFET的特性、电气参数和应用领域。该器件采用先进的沟槽技术,具有低导通电阻和高电流承载能力,适用于电源管理、负载开关和PWM应用。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,AP30H80G,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,脉宽调制,PWM,负载开关
AP3004S N沟道增强型MOSFET
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,AP3004S,脉宽调制应用,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
APG035N04Q N沟道增强型MOSFET数据手册
该资料详细介绍了APG035N04Q型号的N沟道增强型MOSFET的特性。内容包括其电气特性、静态和动态参数、开关特性、源极漏极二极管特性、电容特性、功率耗散特性等,并提供了封装尺寸图。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,APG035N04Q,脉宽调制应用,PWM APPLICATIONS,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,负载开关
AP3406 N沟道增强型MOSFET
本资料介绍了AP3406型号的N-Channel Enhancement型MOSFET。该器件采用先进的沟槽技术,具有优异的导通电阻和低栅极电荷,适用于PWM应用、负载开关和电源管理等领域。
铨力半导体 - N-CHANNEL ENHANCEMENT MOSFET,N沟道增强型MOSFET,AP3406,POWER MANAGEMENT,电源管理,LOAD SWITCH,脉宽调制,PWM,负载开关
电子商城
登录 | 立即注册
提交评论