CMS8H1215增强型闪存8位CMOS单片机用户手册
●内存
◆ROM:8Kx16
◆通用 RAM:344x8
●8 级堆栈缓存器
●简洁实用的指令系统(68 条指令)
●查表功能
●内置 WDT 定时器
●内置低压侦测电路(侦测电压 2.0V)
●中断源
◆2 个定时中断
◆RA/RB 口电平变化中断
◆其它外设中断
●定时器
◆8 位定时器 TIMER0,TIMER2
●内置 128 字节程序 EEPROM
◆可重复擦写 1 万次
●内置 USART 通信模块
◆支持同步主从模式和异步全双工模式
◆USART0 可配置在 RA5/RA6 或 RA5/RB1
●内置 BUZZER 蜂鸣器输出模块
●AFE 模块
◆内置 24Bit Sigma-Delta ADC
●工作电压范围:2.5V~4.5V@16MHz
◆2.4V~4.5V@8MHz
●工作温度范围:-40℃~85℃
●一种振荡方式
◆内部 RC 振荡:设计频率 8MHz/16MHz
●指令周期(单指令或双指令)
●内置 LVD 模块
◆支持多种电压检测模式
◆支持多种电压可选
●高精度 12 位 ADC
◆内建高精度 1.2V 基准电压
◆±1.5% @VDD=2.4V~4.5V TA=25℃
◆±2% @VDD=2.4V~4.5V TA= -40℃~85℃
◆可选择内部参考源:2.4V/2.6V/3.0V/3.3V
◆最快转换速率可达 250ksps
●内置 LED 驱动模块
◆PORTA/PORTB 都可选 SEG/ COM 输出
◆PORTA/PORTB 驱动电流可选
●PWM 模块
◆10 位 PWM 精度
◆2 路 PWM 可设置独立周期和占空比
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数据手册,用户手册 |
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详见资料 |
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QFN32 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2023年3月 |
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V0.1.0 |
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10.4 MB |
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世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
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