PPJD9N10A 100V N-Channel MOSFET

2023-07-21
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●特点
■RDS（打开），VGS@10V，ID@4.5A<152mΩ
■RDS（打开），VGS@4.5V，ID@3.0A<158mΩ
■开关速度高
■改进的dv/dt能力
■低栅极电荷
■低反向转移电容
■无铅符合欧盟RoHS 2011/65/EU指令。

■符合IEC61249标准的绿色模塑化合物（无卤素）
●机械数据
■案例：TO-252AA封装
■端子：可根据MIL-STD-750，方法2026进行焊接
■大约重量：0.0104盎司，0.297克

PPJD9N10A 100V N沟道MOSFET

PANJIT

PPJD9N10A、PJD9N10A_L2_00001

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July 26,2016

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