PJQ4453P-AU 40V P-Channel Enhancement Mode MOSFET
●特点
■RDS(打开),VGS@-10V,ID@-8A<45mΩ
■RDS(打开),VGS@-4.5V,ID@-4A<68mΩ
■先进的沟槽工艺技术
■超低导通电阻的高密度电池设计
■AEC-Q101合格
■无铅符合欧盟RoHS 2.0
■符合IEC 61249标准的绿色模塑化合物
●机械数据
■案例:DFN3333-8L包装
■端子:可根据MIL-STD-750,方法2026进行焊接
■近似重量:0.001盎司,0.03克
PJQ4453P-Au 40V P沟道增强型MOSFET |
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数据手册,Datasheet |
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详见资料 |
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DFN3333-8L |
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中文 英文 中英文 日文 |
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January 27,2022 |
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REV.01 |
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859 KB |
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产品型号
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品类
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Package
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Product Status
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Replacement Part
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AEC-Q101 Qualified
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ESD
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Polarity
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Config.
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VDS(V)
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VGS(±V)
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ID(A)
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RDS(on) Max. (mΩ)(10V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(4.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(2.5V)
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RDS(on) Max. (mΩ)(1.8V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(1.5V)
|
RDS(on) Max. (mΩ)(1.2V)
|
Ciss Typ.(pF)
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VGS(th) Max.(V)
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Qg Typ. (nC)(10V)
|
Qg Typ. (nC)(4.5V)
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PJQ5542V-AU
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Low Voltage MOSFET
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DFN5060-8L
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New Product
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-
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AEC-Q101 Qualified
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-
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N
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Single
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40
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20
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136
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3
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-
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-
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-
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-
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3050
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3.5
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43
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