CHA3092-99F 20-33GHz Medium Power Amplifier GaAs Monolithic Microwave IC
●说明:
■CHA3092-99F是一种高增益宽带四级单片介质功率放大器。它被设计用于从军事到商业通信系统的广泛应用。芯片的背面是RF和DC接地。这有助于简化装配过程。
■B.I.T.(内置测试)监测代表微波输出功率的直流电压。该电路采用pHEMT Electron Mobility Transistor工艺制造,栅极长度为0.25μm,通孔穿过衬底,空气桥和电子束栅极光刻。
■它有芯片形式。
●主要特点
■宽带性能:20-33GHz
■20dBm输出功率。
■22dB±1.0dB增益
■非常好的宽带输入匹配
■片上输出功率电平直流检测器
■低直流功耗,300mA@3.5V
■芯片尺寸:0.88 X 1.72 X 0.10mm
CHA3092-99F 20-33GHz中功率放大器GaAs单片微波集成电路 |
|
DATA SHEET,数据手册,数据表 |
|
|
|
详见资料 |
|
|
|
|
|
|
|
中文 英文 中英文 日文 |
|
27 Oct 20 |
|
|
|
|
|
DSCHA30920301 |
|
559 KB |
|
世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
世强硬创平台www.sekorm.com | |
世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/ | |
世强硬创平台www.sekorm.com | |
世强硬创平台www.sekorm.com |
- |
- +1 赞 0
- 收藏
- 评论 0
本文内容由UMS品牌授权世强硬创平台转载,旨在分享知识与信息,如有内容侵权或者其他违规问题,请及时与我们联系,我们将在核实情况后尽快删除或提供适当的版权信息。对于通过本网站上传或发布的内容,世强硬创平台不承担任何版权责任。
相关推荐
CHA3396-QDG 27-33.5GHz中功率放大器砷化镓单片微波集成电路SMD无铅封装
该资料介绍了CHA3396-QDG是一款27-33.5GHz频段的单片微波功率放大器,采用pHEMT工艺制造。它具有宽带性能,输出功率为19dBm,增益为22dB。适用于军事和商业通信系统等多种应用。
UMS - 27-33.5GHZ中等功率放大器,27-33.5GHZ MEDIUM POWER AMPLIFIER,三级单片介质功率放大器,GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,3 STAGE MONOLITHIC MEDIUM POWER AMPLIFIER,GAAS单片微波IC,CHA3396-QDG/21,CHA3396-QDG/20,CHA3396-QDG/XY,CHA3396-QDG,COMMERCIAL COMMUNICATION SYSTEMS,军事的,MILITARY,商业通信系统
贴片无铅封装GaAs单片微波集成电路CHA3801-fab1波段低噪声放大器
该资料介绍了CHA3801-FAB L-Band低噪声放大器(LNA)的详细信息。这是一种基于pHEMT工艺制造的GaAs单片微波集成电路,采用无引脚表面贴装封装。它具有宽频带性能、低噪声系数、高增益和高饱和输出功率等特点,适用于空间、军事和商业通信系统。
UMS - L波段低噪声放大器单片电路,GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,L-BAND LOW NOISE AMPLIFIER,GAAS单片微波IC,L-BAND LNA MONOLITHIC CIRCUIT,L波段低噪声放大器,CHA3801-FAB,CHA3801-FAB/24,CHA3801-FAB/XY,COMMERCIAL COMMUNICATION SYSTEMS,空间,军事的,MILITARY,商业通信系统,SPACE
采用贴片无铅封装的CHA3395-qdg21-29.5GHz中功率放大器GaAs单片微波集成电路
该资料介绍了CHA3395-QDG是一款21-29.5GHz频段的单片微波集成电路(MMIC),具有中等功率放大功能。它采用pHEMT工艺制造,具备宽带的性能,输出功率为20dBm,增益为24dB。适用于军事和商业通信系统等多种应用。
UMS - 3 STAGE MONOLITHIC MEDIUM POWER AMPLIFIER,三级单片介质功率放大器,GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,中功率放大器,GAAS单片微波IC,MEDIUM POWERAMPLIFIER,CHA3395-QDG,COMMERCIAL COMMUNICATION SYSTEMS,MILITARY COMMUNICATION SYSTEMS,商业通信系统,军事通信系统
UMS功率放大器(PA)选型表
UMS提供以下品类和技术指标的放大器产品,频率最高可达105GHz,带宽超过20GHz,Gain(dB):10-38.5,Bias(mA):30-2300,Bias(V):2.5-30.
产品型号
|
品类
|
RF Bandwidth (GHz)min
|
RF Bandwidth (GHz)max
|
Gain(dB)
|
IP3(dBm)
|
P-1dB OUT(dBm)
|
Sat. Output Power(dBm)
|
PAE(%)
|
Bias(mA)
|
Bias(V)
|
Case
|
CHA1008-99F
|
低噪声放大器
|
80
|
105
|
17
|
DC
|
5
|
DC
|
DC
|
115
|
2.5
|
Die
|
选型表 - UMS 立即选型
CHA4220-98f0.5-20GHz驱动GaAs单片微波集成电路
该资料介绍了CHA4220-98F是一款工作频率范围为0.5至20GHz的分布式驱动放大器,采用pHEMT工艺制造。它适用于军事、电信和测试仪器等多种应用。芯片尺寸为3.04 x 1.56 x 0.1mm,具有宽带性能,线性增益典型值为17dB,噪声系数典型值为3.5dB。
UMS - 0.5-20GHZ DRIVER,DISTRIBUTED DRIVER AMPLIFIER,GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,GAAS单片微波IC,分布式驱动器放大器,0.5-20GHZ驱动,CHA4220-98F,CHA4220-98F/00,电信,军事的,MILITARY,TELECOM,测试仪器,TEST INSTRUMENTATION
CHA4396-QDG 24-30GHz中功率放大器GaAs单片微波集成电路
该资料详细介绍了UMS公司生产的24-30GHz中功率放大器,型号为CHA4396-QDG。该放大器采用GaAs Monolithic Microwave IC技术,具有22dB的最大输出功率和17%的功率附加效率。它适用于电信、卫星通信、雷达、无线电链路和太空等微波应用和系统。
UMS - GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,24-30GHZ MEDIUM POWER AMPLIFIER,GAAS单片微波IC,24-30GHZ中功率放大器,三级砷化镓中功率放大器,THREE-STAGE GAAS MEDIUM POWER AMPLIFIER,CHA4396-QDG,SPACE,MICROWAVE SYSTEMS,RADAR,卫星通信,微波应用,无线电链,SATCOM,空间,雷达,TELECOMMUNICATION APPLICATIONS,MICROWAVE APPLICATIONS,RADIOLINK,微波系统,电信应用
CHA3063-99F 5.5-23GHz GaAs单片微波驱动放大器
该资料介绍了CHA3063-99F是一款5.5-23GHz驱动放大器,采用GaAs单片微波集成电路技术制造。芯片背面同时接地于RF和DC,简化了电路设计。主要特性包括宽带性能、中等功率输出、低噪声系数和高效率。
UMS - 5.5-23GHZ DRIVER AMPLIFIER,5.5-23GHZ驱动放大器,两级通用单片中功率放大器,GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,TWO-STAGE GENERAL PURPOSE MONOLITHIC MEDIUM POWER AMPLIFIER,GAAS单片微波IC,CHA3063-99F/00,CHA3063-99F
CHV2240-99F多功能K波段VCO和Q波段倍频器GaAs单片微波集成电路
该资料介绍了CHV2240-99F是一款多功能K波段电压控制振荡器(VCO)和Q波段倍频器的砷化镓单片微波集成电路。它集成了K波段VCO、Q波段频率倍增器和缓冲放大器,并支持外部谐振器耦合以优化中心频率控制和相位噪声。芯片采用pHEMT工艺制造,具有高Q值电介质谐振器耦合能力。
UMS - 多功能K波段压控振荡器和Q波段倍频器,K-BAND VCO + Q-BAND FREQUENCY MULTIPLIER,GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,GAAS单片微波IC,MULTIFUNCTION K-BAND VCO AND Q-BAND MULTIPLIER,K波段VCO+Q波段倍频器,CHV2240-99F,CHV2240-99F/00
贴片无铅封装CHS5104-FAB DC-6GHz反射式SPDT砷化镓单片微波集成电路
该资料介绍了CHS5104-FAB是一款基于pHEMT工艺的GaAs单片微波集成电路(MMIC),具有反射式SPDT开关功能。该器件适用于空间、军事和商业通信系统等多种应用,工作频率范围为DC至6GHz,具备低插入损耗、高隔离度等特点。
UMS - GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,基于单片FET的反射式开关,DC-6GHZ REFLECTIVE SPDT,DC-6GHZ反射式单刀双掷,GAAS单片微波IC,MONOLITHIC FET BASED REFLECTIVE SWITCH,CHS5104-FAB,CHS5104-FAB/XY,COMMERCIAL COMMUNICATION SYSTEMS,空间,军事的,MILITARY,商业通信系统,SPACE
CHR3664-QEG 17-27GHz下变频器GaAs单片微波IC,采用SMD无引脚封装
该资料介绍了CHR3664-QEG是一款17-27GHz频段的下变频器,采用pHEMT工艺制造,集成了平衡冷FET混频器、倍增器和射频低噪声放大器。适用于ISM和商业通信系统等多种应用。
UMS - 17-27GHZ下变频器,GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,GAAS单片微波IC,MULTIFUNCTION MONOLITHIC CIRCUIT,17-27GHZ DOWN-CONVERTER,多功能单片电路,CHR3664-QEG,CHR3664-QEG/XY,CHR3664-QEG/20,CHR3664-QEG/21,ISM,COMMERCIAL COMMUNICATION SYSTEMS,商业通信系统
CHA2293-99F 24-30GHz低噪声、可变增益放大器GaAs单片微波IC
该资料介绍了名为CHA2293-99F的高增益四级单片低噪声放大器。这款放大器适用于军事到商业通信系统等多种应用,具有可变增益功能。芯片背面同时接地,简化了组装过程。采用pHEMT工艺制造,具备0.25微米栅长,并通过基板孔、空气桥和电子束光刻技术生产。主要特性包括24-30GHz频率范围、3dB噪声系数、24dB增益、15dB的可调增益范围以及低直流功耗。
UMS - HIGH GAIN FOUR-STAGE MONOLITHIC LOW NOISE AMPLIFIER,24-30GHZ LOW NOISE, VARIABLE GAIN AMPLIFIER,24-30GHZ LOW NOISE AMPLIFIER,高增益四级单片低噪声放大器,24-30GHZ低噪声放大器,GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,24-30GHZ低噪声可变增益放大器,GAAS单片微波IC,CHA2293-99F,CHA2293-99F/00,COMMERCIAL COMMUNICATION SYSTEMS,军事的,MILITARY,商业通信系统
贴片无铅封装CHT3091-FAB DC-14GHz衰减器砷化镓单片微波集成电路
该资料介绍了CHT3091-FAB直流至14GHz衰减器,一款适用于空间、军事和商业通信系统等多种应用的变增益衰减器。它采用无引脚表面贴装密封金属陶瓷6x6mm²封装,制造工艺为MESFET过程,栅极长度为0.7微米,具有宽带性能。
UMS - VARIABLE DC-14GHZ ATTENUATOR,GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,可变DC-14GHZ衰减器,DC-14GHZ ATTENUATOR,GAAS单片微波IC,DC-14GHZ衰减器,CHT3091-FAB,CHT3091-FAB/24,CHT3091-FAB/XY,COMMERCIAL COMMUNICATION SYSTEMS,空间,军事的,MILITARY,商业通信系统,SPACE
CHA3665-QAG 5-21GHz驱动放大器单片微波集成电路SMD无引线封装
该资料介绍了CHA3665-QAG是一款5-21GHz频段的驱动放大器,采用GaAs单片微波集成电路(MMIC)技术制造。它具有宽带性能、高饱和输出功率和增益,适用于军事和商业通信系统。
UMS - 5-21GHZ驱动放大器,两级通用单片中功率放大器,GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,TWO-STAGE GENERAL PURPOSE MONOLITHIC MEDIUM POWER AMPLIFIER,GAAS单片微波IC,5-21GHZ DRIVER AMPLIFIER,CHA3665-QAG/20,CHA3665-QAG/21,CHA3665-QAG/XY,CHA3665-QAG,COMMERCIAL COMMUNICATION SYSTEMS,军事的,MILITARY,商业通信系统
CHA2098B99F 20-40GHz高增益缓冲放大器GaAs单片微波集成电路
该资料介绍了CHA2098b99F是一款20-40GHz宽带高增益单片微波集成电路(MMIC)。它采用pHEMT工艺制造,具有宽频带性能、低直流功耗和高输出功率等特点。适用于军事和商业通信系统。
UMS - 20-40GHZ高增益缓冲放大器,HIGH GAIN BROADBAND THREE-STAGE MONOLITHIC BUFFER AMPLIFIER,GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,GAAS单片微波IC,高增益宽带三级单片缓冲放大器,20-40GHZ HIGH GAIN BUFFER AMPLIFIER,CHA2098B99F,CHA2098B99F/00,COMMERCIAL COMMUNICATION SYSTEMS,军事的,MILITARY,商业通信系统
CHT4690-99F 5-30GHz GaAs单片微波衰减器IC
该资料介绍了CHT4690-99F是一款5-30GHz可变衰减器,适用于军事到商业通信系统等多种应用。芯片背面为射频和直流接地,简化了组装过程。采用MESFET工艺制造,具有宽带性能、高动态范围和低插入损耗等特点。
UMS - GAAS MONOLITHIC MICROWAVE IC,5-30GHZ衰减器,GAAS单片微波IC,5-30GHZ ATTENUATOR,VARIABLE 5-30GHZ ATTENUATOR,5-30GHZ可变衰减器,CHT4690-99F,CHT4690-99F/00,COMMERCIAL COMMUNICATION SYSTEMS,军事的,MILITARY,商业通信系统
电子商城
品牌:UMS
品类:GaAs Monolithic Microwave IC
价格:¥173.3363
现货: 1,503
现货市场
服务

提供语音芯片、MP3芯片、录音芯片、音频蓝牙芯片等IC定制,语音时长:40秒~3小时(外挂flash),可以外挂TF卡或U盘扩容。
最小起订量: 1pcs 提交需求>

世强深圳实验室提供Robei EDA软件免费使用服务,与VCS、NC-Verilog、Modelsim等EDA工具无缝衔接,将IC设计高度抽象化,并精简到三个基本元素:模块、引脚、连接线,自动生成代码。点击预约,支持到场/视频直播使用,资深专家全程指导。
实验室地址: 深圳 提交需求>
登录 | 立即注册
提交评论