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BLG40T65FDK IGBT

发布时间： 2023-07-21 品牌：上海贝岭资料类型：数据手册语言：英文

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●描述：BLG40T65FDK是通过先进的沟槽场阻（T-FS）技术获得的，该技术具有低VCE（sat）、优化的开关性能和低栅极电荷Qg的特点。IGBT适用于焊接、UPS和高开关频率应用。

●特征
■快速切换
■低VCE（sat）
■正温度系数
■快速恢复反并联二极管
■RoHS产品

授权代理商	世强先进（深圳）科技股份有限公司
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
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【产品】上海贝岭 BLG40T65FUL系列 IGBT

产品介绍产品目录数据手册技术问答技术资讯

产品特性：1.采用沟槽场止(T-FS)技术 2.低VCE(sat)，优化开关性能和低门电荷Qg 3.快速恢复反并联二极管 4.RoHS合规产品 5.适用于光伏、不间断电源(UPS)和高频切换应用;应用领域：1.光伏逆变器 2.不间断电源(UPS) 3.高频切换应用

系列型号： BLG40T65FUL-W; BLG40T65FUL-F

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BLG40T65FDK IGBT

03/2025 - 数据手册该资料详细介绍了BLG40T65FDK型IGBT（绝缘栅双极型晶体管）的特性、参数和应用。该IGBT采用先进的沟槽场止（T-FS）技术，具有低VCE(sat)、优化开关性能和低栅极电荷Qg等特点，适用于焊接、UPS和高频开关应用。

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一个光伏逆变器项目，需要用到一款IGBT，要求650V，40A，TO-247封装，请问有合适的国产型号推荐吗？

2022-10-17 - 技术问答你好，推荐上海贝岭的IGBT，型号为BLG40T65FUL-F，数据手册链接：https://www.sekorm.com/doc/3655547.html

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想找一个功率管，用在空调压缩机上，预计使用IGBT的方案，想问问有没有国产车规的IGBT芯片推荐？

2023-04-04 - 技术问答您好，可以评估一下上海贝岭的BLG40T65FUK，规格书参考https://www.sekorm.com/doc/3743420.html

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户外储能电源项目中有650V 40A的IGBT需求，要求封装是TO-3P，请帮忙推荐P2P替代

2022-12-16 - 技术问答推荐贝岭的BLG40T65FUK-W，参考规格书：https://www.belling.com.cn/media/file_object/bel_product/BLG40T65FUK/datasheet/BLG40T65FUK_V1.0_en.pdf

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BLG40T65FUL IGBT

03/2025 - 数据手册 BLG40T65FUL是一款采用先进沟槽场止(T-FS)技术的IGBT，具有低VCE(sat)、优化开关性能和低栅极电荷Qg等特点。该产品适用于光伏、不间断电源和高速开关应用。

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BLG40T65FUL IGBT

11/2023 - 数据手册该资料详细介绍了BLG40T65FUL型绝缘栅双极晶体管（IGBT）的技术规格和应用。它采用了沟槽场止（Trench Field Stop）技术，适用于降压转换器等应用，具有低饱和电压、快速开关速度和低门电荷Qg等特点。

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BLG40T65FUL IGBT

02/2023 - 数据手册该资料详细介绍了BLG40T65FUL型绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的技术规格和应用。它采用沟槽场止（Trench Field Stop）技术，适用于降压转换器、光伏逆变器和不间断电源（UPS）等领域。资料包含了产品的绝对额定值、热特性、电学特性、开关特性、二极管特性、封装描述以及测试电路和波形图。

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BLG40T65FUL IGBT

12/2022 - 数据手册该资料介绍了BLG40T65FUL型绝缘栅双极晶体管（IGBT）的特性、规格和应用。它采用沟槽场止技术，适用于降压转换器应用，具有低饱和电压、快速开关速度和优化开关性能等特点。资料提供了详细的电气特性、热特性和封装尺寸信息。

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BLG40T65FUL IGBT

7/2022 - 数据手册本资料介绍了BLG40T65FUL型绝缘栅双极型晶体管（IGBT），该产品采用沟槽场止技术，适用于降压转换器、焊接电源和不间断电源（UPS）等领域。资料详细阐述了产品的特性、绝对额定值、热特性、电气特性、特性曲线、测试电路和波形图、封装描述以及订购信息。

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BLG40T65FDL IGBT

11/2023 - 数据手册该资料介绍了BLG40T65FDL型绝缘栅双极晶体管（IGBT）的特性、规格和应用。它采用沟槽场止技术，适用于降压转换器等高频应用，具有低饱和电压、快速恢复二极管和优化开关性能等特点。

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BLG40T65FDL IGBT

02/2023 - 数据手册本资料介绍了BLG40T65FDL型绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的特性、规格和应用。该器件采用沟槽场止技术，适用于降压转换器等应用，具有低饱和电压、快速开关速度和低门电荷等特点。

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BLG40T65FDL IGBT

12/2022 - 数据手册该资料介绍了BLG40T65FDL型绝缘栅双极晶体管（IGBT）的特性、规格和应用。它采用了沟槽场止技术，适用于降压转换器、光伏逆变器和不间断电源（UPS）等高频应用。资料提供了详细的电气特性、热特性、封装尺寸和订购信息。

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BLG40T65FDL IGBT

7/2022 - 数据手册该资料介绍了BLG40T65FDL型绝缘栅双极型晶体管（IGBT）的特性。它采用先进的沟槽场止（T-FS）技术，具有低栅极电荷Qg和优化的开关性能。适用于焊接、不间断电源（UPS）和高频切换应用。

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BLG40T65FUK IGBT

11/2023 - 数据手册该资料介绍了BLG40T65FUK型绝缘栅双极晶体管（IGBT）的特性、规格和应用。它采用沟槽场止技术，适用于降压转换器等应用，具有低饱和电压、快速恢复反并联二极管等特点。

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BLG40T65FUK IGBT

02/2023 - 数据手册本资料介绍了BLG40T65FUK型绝缘栅双极晶体管（IGBT）的技术规格和应用。该IGBT采用沟槽场止技术，适用于降压转换器、空调和其他高开关频率应用。资料提供了详细的电气特性、热特性、开关特性、二极管特性、封装描述以及订购信息。

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BLG40T65FUK IGBT

12/2022 - 数据手册本资料介绍了BLG40T65FUK型绝缘栅双极型晶体管（IGBT），该产品采用沟槽场止技术，适用于降压转换器、空调和其他高开关频率应用。资料详细说明了其电气特性、热特性、封装尺寸以及订购信息。

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03/2025 - 数据手册 BLG40T65FUK是一款采用先进沟槽场止(T-FS)技术的IGBT，具有低VCE(sat)、优化开关性能和低栅极电荷Qg等特点。适用于焊接、UPS和高频开关应用。

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第七届（苏州）电动工具控制与充电技术研讨会圆满落幕！上海贝岭受邀参加并做主题演讲

2024-10-22 - 原厂动态本次研讨会由Big-Bit商务网主办、《半导体器件应用》杂志承办，以“锂能驱动 • 智汇电芯”为主题，吸引了国内外电动工具行业知名企业的参与。上海贝岭工业市场总监冒晶晶受邀参加本次论坛并做《电动工具市场新机遇》主题演讲。

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针对新能源汽车直流充电桩领域，贝岭可提供完整的芯片选型解决方案，覆盖功率链和信号链等众多产品

2023-12-27 - 器件选型上海贝岭功率器件与积塔半导体深度融合，包含MOSFET、IGBT、等全系列产品，为高可靠直流充电模块设计提供助力。同时，贝岭拥有较为完善的电源管理、信号链产品可供选择，产品质量可靠、供应稳定，具备专业的全流程技术支持及售后服务能力。

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深圳电机峰会暨产业链交流会圆满落幕，上海贝岭荣获“品质供应商奖”

2023-11-18 - 原厂动态 2023年11月9日，以“创新驱动·擎领未来”为主题的2023(第五届)领芯微中国电机智造与创新应用峰会暨电机产业链交流会(以下简称“深圳电机峰会暨产业链交流会”)在深圳圆满落幕。上海贝岭凭借其代表产品BLG40T65F系列脱颖而出，荣获“2023年BLDC电机控制器行业品质供应商奖”。

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产品特性：1.绝对额定值： 2.集电极-发射极电压：BVCER和BVCES分别为400V和450V。 3.集电极电流：IC为21A（25°C），17A（100°C）。 4.功耗：PD为150W（25°C）。 5.工作温度范围：TJ和Tstg分别为-40至175°C。 6.热特性： 7.结到壳体热阻RθJC为1.0°C/W（TO-252/TO-263封装）。 8.电气特性： 9.集电极-发射极击穿电压：BVCER为430V，BVCES为450V。 10.集电极漏电流：ICER在25°C时为25µA。 11.封装类型： 12.TO-252和TO-263两种封装。;

系列型号： BLQG3040-B

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