RA6E1 Group Renesas Microcontrollers
◆高性能200 MHz Arm Cortex-M33内核,高达1 MB的代码闪存,具有双组、后台和SWAP操作,8 KB的数据闪存和256 KB的奇偶校验SRAM。与以太网MAC控制器、USB 2.0全速、SDHI、Quad SPI和高级模拟高度集成。
◆特点
■ Arm®Cortex®-M33核心
● 带有主扩展的Armv8-M体系结构
● 最大工作频率:200 MHz
● 臂内存保护单元(臂MPU)★ 受保护内存系统体系结构(PMSAv8)★ 安全MPU(MPU_S):8个区域★ 非安全MPU(MPU_NS):8个区域
● SysTick计时器★ 嵌入两个Systick定时器:安全实例和非安全实例★ 由LOCO或系统时钟驱动
● CoreSight公司™ 立方米
■ 记忆力
● 高达1-MB的代码闪存
● 8 KB数据闪存(100000次编程/擦除(P/E)周期)
● 256千桶SRAM
■ 连通性
● 串行通信接口(SCI)×6★ 异步接口★ 8位时钟同步接口★ 智能卡接口★ 简单IIC★ 简单SPI★ 曼彻斯特编码(SCI3、SCI4)
● I²C总线接口(IIC)×2
● 串行外设接口(SPI)×2
● 四串行外围接口(QSPI)
● USB 2.0全速模块(USBFS)
● 控制局域网模块(CAN)
● 以太网MAC/DMA控制器(ETHERC/EDMAC)
● SD/MMC主机接口(SDHI)
● 增强型串行声音接口(SSIE)
■ 模拟
● 12位数模转换器(ADC12)
● 12位模数转换器(DAC12)
■ 计时器
● 通用PWM定时器32位(GPT32)×2
● 通用PWM定时器16位(GPT16)×4
● 低功率异步通用定时器(AGT)×6
■ 安全和加密
● Arm®TrustZone®★ 代码闪烁最多有三个或六个区域,具体取决于银行模式★ 数据闪存最多两个区域★ SRAM最多有三个区域★ 每个外围设备的单独安全或非安全安全属性
■ 系统和电源管理
● 低功率模式
● 备用电池功能(VBATT)
● 实时时钟(RTC),支持日历和VBATT
● 事件链接控制器(ELC)
● 数据传输控制器(DTC)
● DMA控制器(DMAC)×8
● 上电复位
● 带电压设置的低电压检测(LVD)
● 看门狗计时器(WDT)
● 独立看门狗定时器(IWDT)
■ 多个时钟源
● 主时钟振荡器(MOSC)(8至24 MHz)
● 子时钟振荡器(SOSC)(32.768 kHz)
● 高速片上振荡器(HOCO)(16/18/20 MHz)
● 中速片上振荡器(MOCO)(8 MHz)
● 低速片上振荡器(LOCO)(32.768 kHz)
● IWDT专用片上振荡器(15 kHz)
● HOCO/MOCO/LOCO的时钟微调功能
● PLL/PLL2
● 时钟输出支持
■ 通用I/O端口
● 5V容差,漏极开路,输入上拉,可切换驱动能力
■ 工作电压
● VCC:2.7至3.6伏
■ 工作温度和包装
● Ta=-40°C至+85°C★ 100引脚LQFP(14毫米×14毫米,0.5毫米间距)★ 64引脚LQFP(10毫米×10毫米,0.5毫米间距)★ 48引脚QFN(7毫米×7毫米,0.5毫米间距)
◆概述
■MCU集成了多个系列的软件和引脚兼容的基于Arm®的32位内核,这些内核共享一组通用的Renesas外围设备,以促进设计的可扩展性和高效的基于平台的产品开发。
■该系列中的MCU包含高性能Arm Cortex®-M33内核,运行频率高达200 MHz,具有以下功能:
●最高1 MB代码闪存
●256 KB SRAM
●四串行外围接口(QSPI)
●以太网MAC控制器(ETHERC)、USBFS、SD/MMC主机接口
●模拟外围设备
●安全保障功能
RA6E1集团瑞萨微控制器 |
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RA6E1 Group、RA6E1、R7FA6E10F2CFP#AA0、R7FA6E10F2CFP、R7FA6E10F2CFM、R7FA6E10F2CNE、R7FA6E10D2CFP、R7FA6E10D2CFM、R7FA6E10D2CNE |
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数据手册,Datasheet |
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详见资料 |
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LQFP;QFN;PLQP0064KB-C;P-LFQFP64-10x10-0.50;P-LFQFP100-14x14-0.50;PWQN0048KC-A;P-HWQFN048-7x7-0.50;PLQP0100KA-B |
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中文 英文 中英文 日文 |
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Feb 4, 2022 |
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Rev.1.10 |
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R01DS0392EJ0110 |
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3.7 MB |
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