【选型】Infineon(英飞凌)CoolMOS™ 选型指南
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用户80356362 Lv7. 资深专家 2019-10-11学习了
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南城小胖 Lv6 2019-06-02沙发吗
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心若向阳 Lv5. 技术专家 2019-04-29P7 系列抗浪涌电流差
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New Release/Presseinformation Unique Success Story of CoolMOS™ Technology: Infineon(英飞凌) launches 650V MOSFET with Integrated Fast Body Diode and crosses the 3.5 Billionth High-Voltage MOSFET to Advance Energy Efficiency Worldwide
Infineon推出650V MOSFET,集成快速体二极管,标志着其CoolMOS™技术取得重大突破。该技术应用于多种领域,如PC电源、服务器、太阳能逆变器等,显著提高能源效率。Infineon的CoolMOS™技术已累计生产超过35亿个高压MOSFET,为全球能源节约作出贡献。
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650V CoolMOS™ CFD2推出新市场领先的650V CoolMOS™ 集成快体二极管技术
Infineon推出新一代650V CoolMOS™ CFD2技术,具备集成快速体二极管。该产品作为600V CFD的升级版,旨在提升能源效率,并具有更优的EMI表现。主要特点包括:首次集成快速体二极管的650V技术、硬切换时电压过冲小、与基于C3的CFD技术相比Qg显著降低、Rdson分布更紧密、易于设计且价格更低。详情请访问官网:[www.infi neon.com/cfd2]。
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正向电阻™ 汽车用CFDA 650V级快体二极管超结MOSFET
本文档主要介绍了Infineon Technologies的CoolMOS™ CFDA系列650V高压超级结MOSFET,特别针对汽车应用进行了优化。该系列MOSFET具有快速体二极管,适用于谐振和非谐振拓扑,提高了重复硬开关时的效率。文章详细比较了CFDA与CPA和C3A系列MOSFET的主要差异,包括电压等级、关键参数、内部栅极电阻、反向恢复电荷、开关行为和输入栅极电荷等。此外,还提供了电路设计和布局建议,以确保高性能和可靠性。
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650V CoolMOS™ CFD2第一个650V额定超结MOSFET与快体二极管适用于谐振拓扑
本文介绍了Infineon Technologies推出的650V CoolMOS™ CFD2超级结MOSFET,该器件特别针对谐振拓扑应用优化,同时适用于非谐振拓扑,提供更高的效率。CFD2具有降低的栅极电荷(Qg)、反向恢复电荷(Qrr)、最大反向恢复时间(trr)和最大反向恢复电流(Irrm),提高了器件的开关性能和可靠性。文章还通过ZVS相移全桥参考设计中的测量结果,展示了CFD2在效率提升和过渡时间缩短方面的优势。
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该资料详细介绍了Infineon Technologies生产的700V CoolMOS™CE功率晶体管IPN70R1K0CE。该产品采用CoolMOS™CE技术,专为成本敏感型应用设计,适用于消费和照明市场。产品特点包括极低损耗、高抗通态电压和快速开关性能,同时易于使用和驱动。
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