TPA65R280D,TPB65R280D,TPC65R280D,TPD65R280D,TPP65R280D,TPU65R280D 650V Super-junction Power MOSFET

时间： 2023-07-31

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■说明：

●超结功率MOSFET是根据SJ原理设计的高压功率MOSFET的革命性技术。深沟槽SJ MOSFET提供了一种极低的开关、通信和传导损耗器件，具有最高的鲁棒性，使谐振开关应用更可靠、更高效、更轻、更凉爽
■特点：

●极低FOM RDS（开）×Qg
●100%雪崩测试
●易于使用/驱动
●符合RoHS

中文标题（翻译）:	TPA65R280D、TPB65R280D、TPC65R280、TPD65R280、TPP65、TPU65R280 650V超级结功率MOSFET
厂牌:	无锡紫光微
型号:	TPA65R280D、TPB65R280D、TPC65R280D、TPD65R280D、TPP65R280D、TPU65R280D 查看更多 Part#
品类:	超结功率MOSFET 查看更多
应用:	[ 开关模式电源 ][ 不间断电源 ][ 充电器 ] 查看更多
资料类型:	数据手册,datasheet 查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	TO-251;TO-220;TO-252;TO-262;TO-263;TO-220F 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	2020/6/23
过期日期:
版本号:	V1.0
文档编码:
文件大小:	1.7 MB
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
现货商城,价格查询,交期查询,订货,现货采购,在线购买,样品申请渠道	世强硬创平台电子商城www.sekorm.com/supply/
概念,方案,设计,选型,BOM优化,FAE技术支持,样品,加工定制,测试,量产供应服务提供	世强硬创平台www.sekorm.com
集成电路,电子元件,电子材料,电气自动化,电机,仪器全品类供应	世强硬创平台www.sekorm.com

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TPW50R060C	Super Junction MOSFET	TO-247	500	47	2.5	4	0.043	0.06

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产品型号	品类	Product State	封装形式	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT typ	Rdson（mΩ） Vgs=10V FT max	BVdss（V） min	BVdss（V） typ	ID（A）	Vth（V）min	Vth（V）max	应用建议
TPW120R800A	SJ-MOSFET	M	TO-247	640	800	1200	1320	12	2.5	4	辅助电源/负载电源/电力操作电源/适配电源

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产品型号	品类	V(BR)DSS(V)	ID(A)	RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Typ(Ω)	RDS(ON)(mΩ)@VGS=10V Max(Ω)	V(GS)thmin(V)	V(GS)thmax(V)	Ciss(pF)	Qg(nC)	封装
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