FMG50AQ120N6 50A 1200V SiC MOSFET TO-247-4L Package (Isolated)
■带散热的绝缘封装 (Rth( j-c)=0.22°C/W Typ)
■采用4-pin结构,减少源极端子电感的影响,实现更快的开关和更低的损耗。
■行业领先的低导通电阻(15mΩ Typ. Tj=150°C)
■即使在高温操作期间,导通电阻的变化也很小,有助于降低损耗。
■高频工作时具有较高抗噪能力的门极特性 (VGS(th) : 4.0V Typ.)
■超过 5 微秒的顶级短路容限,易于进行电路保护设计(8μsec Typ)
FMG50AQ120N6 50A 1200V SiC MOSFET TO-247-4L封装(隔离式) |
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数据手册 |
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详见资料 |
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TO-247-4L |
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中文 英文 中英文 日文 |
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202202 |
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11-C-202202-1 |
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1.8 MB |
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产品型号
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品类
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描述
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额定耐压(V)
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额定电流(A)
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应用等级
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等级认证标准
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DCA100AA60
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SOFT RECOVERY DIODE MODULE
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模块-软恢复二极管,600V,100A(Tc=85℃)、VFM=1.3V(25℃)、trr=300ns
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600
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100
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工业级
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UL、ISO14001、ISO9001
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