DI040P04D1 P-Channel Power MOSFET
●功能
■先进的沟槽技术
■低导通状态电阻
■快速切换时间
■低栅极电荷
■雪崩额定值
■符合RoHS（豁免7a）、REACH、冲突矿产
●机械数据
■带卷2500/13“
■重量约0.32克
■外壳材料UL 94V-0
■焊接和组装条件260°C/10s
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DI040P04D1 P沟道功率MOSFET |
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数据手册,Datasheet |
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详见资料 |
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TO-252AA;D-PAK |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2023-07-20 |
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Version 2023-07-20 |
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563 KB |
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DIOTEC MOSFETs选型表
DIOTEC提供以下参数选型： Drain Source Voltage VDS[V]:-100~700、Drain Current ID[A]：-70~280、Junction Temperature Tjmax[℃]：150~175、Power Dissipation Ptot [W]：0.2~425、Peak Drain Current IDM [A]：-350~1200、Threshold Voltage VGSth[V]：-4~4.2、On-Resistance RDSon[Ω]：0.0013~15、On-Resistance ID[A]:-30~100、On-Resistance VGS[V]：-10~10、Turn-OnTime ton[ns]：3~1206、Turn-Off Time toff[ns]：7~991
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产品型号
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品类
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Type
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Package
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Drain Source Voltage VDS[V]
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Drain Current ID[A]
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Junction Temperature Tjmax[℃]
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Polarity pol
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Power Dissipation Ptot [W]
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Peak Drain Current IDM [A]
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Threshold Voltage VGSth[V]
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On-Resistance RDSon[Ω]
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On-Resistance ID[A]
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On-Resistance VGS[V]
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Turn-OnTime ton[ns]
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Turn-Off Time toff[ns]
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2N7000
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MOSFETs
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Wire-lead
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TO-92
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60
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0.2
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150
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N
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0.35
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0.5
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0.8
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