9435 P-Channel Enhancement Mode MOSFET
●描述
■9435采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该设备适用于电池保护或其他开关应用。
●一般功能
■VDS=-30 V ID=-5A
■RDS(ON)<55mΩ@VGS=10V
9435 P沟道增强型MOSFET |
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数据手册,DATASHEET |
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详见资料 |
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SOP-8 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2022/12/14 |
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2.1 MB |
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世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
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产品型号
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品类
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类型
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VDSS耐压(V)
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ID电流(A)
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RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)
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RDON(mR)
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封装
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应用等级
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HXY2301AI
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P型场效应晶体管
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P沟道
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20V
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3A
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87mΩ
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25mR
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SOT-23
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民用级
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