9435 P-Channel Enhancement Mode MOSFET

2023-08-23
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●描述
■9435采用先进的沟槽技术,提供出色的RDS(ON)、低栅极电荷和低至2.5V的栅极电压操作。该设备适用于电池保护或其他开关应用。

●一般功能
■VDS=-30 V ID=-5A
■RDS(ON)<55mΩ@VGS=10V

9435 P沟道增强型MOSFET

华轩阳电子

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产品型号
品类
类型
VDSS耐压(V)
ID电流(A)
RDS电阻(mΩ)@4.5V MAX)
RDON(mR)
封装
应用等级
HXY2301AI
P型场效应晶体管
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20V
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