AP85N04G-AU N-Channel Enhancement Mosfet
●特性
■40V，65A
▲RDS（ON）<5.9mΩ@VGS=10V典型值:5.0mΩ
▲RDS（ON）<10mΩ@VGS=4.5V典型值:7.5mΩ
■提供无铅绿色器件
■出色的RDS（on）和低栅极电荷
■无铅产品开关速度快
■TJmax=175°C
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AP85N04G-Au N沟道增强型MOSFET |
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DATA SHEET,数据手册,数据表 |
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详见资料 |
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PDFN5X6 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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2022/9/21 |
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V1.0 |
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1.6 MB |
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