泰高(Tagore)GaN射频器件选型指南
●2021年成立于中国深圳,主要从事为第三代半导体硅基GaN材料技术的集成电路的研发和销售,其芯片设计中心位于美国芝加哥,产品应用中心位于中国深圳与厦门。
●CTO之前任职于著名的全球功率半导体供应商的研发副总,早从2010年就研制先进的氮化镓芯片并掌握7个氮化镓发明专利,现有研发团队在射频和功率半导体领域深耕超过20年资历。
●由一支在半导体行业管理经验超过15年资历的团队运营着,泰高持续投入资源在射频和功率芯片相关的工艺技术提升上,朝着降低能耗,降低成本,提供高可靠性的目标前进。
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AEM科技(AEM)电子电路保护产品选型指南
AEM designs and produces mission-critical, passive circuit protection components through two divisions. AEM’s A&D division provides advanced, high-reliability fuses, ferrite chip beads, and tin whisker mitigation products for satellite, defense, and aerospace applications.
AEM科技 - CHIP FUSE,多层单片片式熔断器,大功率表面贴装保险丝,电路保护元件,COMMERCIAL CIRCUIT PROTECTIVE COMPONENTS,HIGH POWER SURFACE MOUNT FUSES,CIRCUIT PROTECTIVE COMPONENTS,表面安装保险丝,薄膜表面贴装保险丝,商用电路保护元件,SURFACE MOUNT CHIP FUSES,无源电路保护元件,HIGH-RELIABILITY FUSES,SURFACE MOUNT FUSES,FERRITE CHIP BEADS,表面贴装片式保险丝,AUTOMOTIVE SURFACE MOUNT FUSES,MULTILAYER MONOLITHIC CHIP FUSES,高可靠性熔断器,PASSIVE CIRCUIT PROTECTION COMPONENTS,片式保险丝,THIN FILM SURFACE MOUNT FUSES,汽车表面贴装保险丝,铁氧体芯片磁珠,HC SERIES,F1206HA15V024TM,F0603HI8000V032TM,F1206SB2000V063TM,AF2-1.00V125TM,HA SERIES,F1206VH4500TM,F0603FF2000V032TM,F0402FA3000V024T,AF4012H30A0T,F0603FA0750V063TM,AF101,T0603HI2500TM,F1206SB3000V032TM,AF2-0.75V125TM,F1206HC15A0TM,CM2822H60A0T,AF,T0603FF1500TM,F1206HI6000V024TM,AF2-0.63V125TM,F1206HI5000V032TM,AF1206F4.00TM,HI 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为了实现零碳社会,努力提高能源利用效率并实现碳中和已成为全球共同的目标。 在这种背景下,罗姆致力于通过电子技术解决社会问题,专注于开发在大功率应用中可提升效率的关键——功率半导体,并提供相关的电源解决方案。本白皮书将通过“Power Eco Family”的品牌理念,介绍为构建应用生态系统做出贡献的罗姆功率半导体以及相关的举措。
南芯半导体强势切入便携式储能市场,实现国产电源和电池管理类芯片全场景覆盖
本文主要介绍南芯的多款产品应用方案在便携式储能电源产品上的应用,并给于了应用方案和方案应用优势
华太-瑶华半导体:引领大功率射频封测技术,助力5G与能源应用
华太电子旗下瑶华半导体专注于LDMOS、GaN等大功率射频空腔器件以及IGBT、SiC功率模块的封装与测试。公司目前拥有超过16000平米的无尘车间,年产能达到1000万颗以上,并且持续扩产,致力于满足5G基站、物联网、无线对讲机、工业及医疗等多领域的需求。
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可定制高压电源模块的输入电压100VDC-2000VDC、功率范围5W-500W/4W-60W; 高压输出电源模块的输出电压100VDC-2000VDC。功率范围:4W-60W。
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可来图定制均温板VC尺寸50*50mm~600*600 mm,厚度1mm~10mm,最薄0.3mm。当量导热系数可达10000W/M·K,散热量可达10KW, 功率密度可达50W/cm²。项目单次采购额需满足1万元以上,或年需求5万元以上。
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