IPD90R1K2C3 CoolMOS™ Power Transistor
●特性
■最低的品质因数RON×QG
■极高的DV/DT额定值
■高峰值电流能力
■符合JEDEC目标应用标准
■无铅镀铅;符合RoHS规范;采用无卤素塑封材料)
■超低栅极电荷
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