ZN65C1R120L 650V, 120mΩ typ., GaN FET in DFN 8x8 Package Preliminary Datasheet

时间： 2023-08-30

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■概述：

●ZN65C1R120L是一个650V，120米Ω 采用8 x 8 DFN封装的氮化镓FET。这是一款常关器件，将Ziener最新的高压氮化镓高电子迁移率晶体管与低压硅MOSFET相结合，提供卓越的可靠性和性能。

■功能和优点：

●JEDEC合格的氮化镓技术
●动态RDS（开）eff生产测试
●宽闸门安全裕度
●能够反向传导
●低栅极电荷
●符合RoHS标准且无卤素封装
●在硬开关和软开关电路中都实现了更高的效率
◆功率密度增加
◆减小了系统尺寸和重量
◆总体系统成本较低
●使用常用的门驱动器易于驾驶

中文标题（翻译）:	ZN65C1R120L采用DFN 8x8封装的650V、120mΩ氮化镓场效应晶体管（典型值）初步数据表
厂牌:	致能
型号:	ZN65C1R120L 查看更多 Part#
品类:	氮化镓场效应管查看更多
应用:	[ 电信电力 ][ 照明 ][ 快速充电器 ][ 数据中心 ] 查看更多
资料类型:	Preliminary Datasheet,数据手册,初步数据表查看更多
安规/环境规范:	查看更多
工作温度:	详见资料
应用等级:	查看更多
等级认证标准:	查看更多
封装:	DFN 查看更多
语言:	中文英文中英文日文
生成日期:	Nov. 1, 2022
过期日期:
版本号:	Rev 1.0
文档编码:
文件大小:	1.1 MB
技术资料,数据手册,3D模型库,原理图,PCB封装文件,选型指南来源平台	世强硬创平台www.sekorm.com
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11.2023 - 应用笔记或设计指南 - Ver.3.1 代理服务技术支持采购服务

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