MG150HF12TFC2 IGBT Modules
●功能
■采用Trench技术的低Vce(sat)
■开关损耗低,尤其是Eoff
■具有正温度系数的Vce(sat)
■高短路能力(10us)
■包括超快软恢复反并联FWD
■低电感封装
■最高结温175°C
MG150HF12TFC2 IGBT模块 |
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数据手册,Datasheet |
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详见资料 |
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中文 英文 中英文 日文 |
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8-Apr-22 |
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Rev.1.2 |
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S-M428 |
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1.4 MB |
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世强先进(深圳)科技股份有限公司 | |
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产品型号
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品类
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Package
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VCES_Min(V)
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IC@TC=80℃(A)
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VCE(sat)_Typ(V)
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Eon+Eofftyp.Tj=125℃(mJ)
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Rth(j-c)_Max((℃/W)
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MG100HF12LEC1
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IGBT模块
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C1
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1200
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100
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