MG50P12E1A IGBT Modules

2023-09-04
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●特性
■低开关损耗
■低V CE(sat),具有正温度系数
■包括快速和软恢复反并联FWD
■低电感外壳
■高短路能力(10us)
■最大结温175°C

MG50P12E1A IGBT模块

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产品型号
品类
Package
VCES_Min(V)
IC@TC=80℃(A)
VCE(sat)_Typ(V)
Eon+Eofftyp.Tj=125℃(mJ)
Rth(j-c)_Max((℃/W)
MG100HF12LEC1
IGBT模块
C1
1200
100
3
19.4
0.185

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