YJG30N04AQ N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor

2023-09-04
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●概述
■出色的散热封装
■低RDS（ON）的高密度电池设计
■湿度敏感度等级3
■部件号后缀“ Q ”表示符合AEC-Q101标准

YJG30N04AQ N沟道增强型场效应晶体管

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产品型号
品类
Package
Status
ESD
Configuration
Type
VDSS(V)
ID(A)
PD(W)
VGS(V)
Tj(℃）
Vth_Typ(V)
Rdson@VGS10V_TYP(mΩ)
Rdson@VGS10V_Max(mΩ)
Rdson@VGS4.5V_TYP(mΩ)
Rdson@VGS4.5V_Max(mΩ)
Ciss_Typ(pF)
Coss_Typ(pF)
Crss_Typ(pF)
Qg_Typ(nC)
Grade
2N7002
MOSFET
SOT-23
Active
No
Single
N
60
0.34
0.35
±20
150
1.5
1200
2500
1300
3000
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